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采用改进的溶胶-凝胶(Sol-Gel)方法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备锆钛酸铅(PZT)纳米晶薄膜,研究了不同的热处理方式对PZT薄膜的晶粒结构、尺寸及电学性能的影响。X-射线衍射(XRD)分析表明:传统的热处理方式更有利于得到具有一定择优取向性的PZT薄膜。原子力显微镜(AFM)显示:快速热处理方式使PZT薄膜的晶粒具有自形晶结构,晶粒的排布更为有序,从而改善了薄膜的致密性。阻抗分析仪的测试结果表明:经快速热处理的薄膜,漏电流大约比传统热处理处理的薄膜的漏电流降低了20倍左右。 相似文献
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水热合成PZT纳米晶粉末烧结性及机理的研究 总被引:7,自引:0,他引:7
研究水热合成PZT压电体纳米晶粉末的烧结性能及其机理。采用DTA-TGA对这种纳米晶粉末进行了热分析,结果表明,这种结晶粉末的PbO挥发温度为924.71°C,而颗粒之间的反应温度为811.26°C。与此相反,固相合成PZT粉末颗粒之间的反应温度为1243.47°C,PbO的挥发温度为1213.29°C。水热合成纳米晶结晶粉末的烧结温度比固相法合成低100°C左右 相似文献
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紫外光照下ZnO基薄膜的光电和气敏特性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
用sol-gel法制备ZnO及掺杂Al3+的ZnO半导体薄膜,利用XRD和AFM对薄膜结构和形貌进行表征。测量了不同掺Al量的薄膜在紫外光照射下电阻的变化,发现随着掺Al量的增大,薄膜在紫外光(波长为365nm)照射后其电阻先减小后增大。在室温下,对薄膜在不同浓度的CO气体下的敏感特性进行了研究,随着气体浓度的增加,薄膜电阻值逐渐减小;随着掺Al量的增大,气敏灵敏性先逐渐增大后减小,发现当铝含量为r(Al:ZnO)=0.5%时,对CO气体的灵敏度最大,并对紫外光照射下气敏半导体薄膜的气敏机理进行了简单分析。 相似文献
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对采用水热合成技术所形成的纳米(Sn,Sb)O2 x晶粒结构、厚膜材料的气敏特性及其机理进行了研究,并采用XRD、TEM手段对纳米尺度的(Sn、Sb)O2 x晶粒的结构与表面效应及晶粒形态进行了表征.结果表明,当掺杂Sb5+的浓度(摩尔分数xSb5+)为(2.9~5.8)×10-6时,(Sn、Sb)O2 x纳米晶粒表面的电子缺陷浓度增大,增强了对气体的吸附能力,从而提高了对可燃性气体的灵敏度.同时可使晶粒保持短柱状的形态特征,对其灵敏度有一定的控制作用. 相似文献
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紫外光照下金属氧化物薄膜气敏特性研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了近期文献中对紫外光照下半导体金属氧化物薄膜气敏特性的研究结果:紫外光照引起SnO2,In2O3,ZnO薄膜电导显著增大;提高室温下薄膜对CO,NO2气体检测的灵敏度,减少响应和恢复时间;介绍了一种对紫外光增强气敏机制的物理模型分析方法。最后讨论了当前存在的难点问题(室温下气体检测的灵敏度不高及使用紫外光源不便)及未来研究方向(借改变薄膜的制备方法、工艺条件、优化金属氧化物薄膜的结构;通过掺杂复合改变薄膜的成分以及寻找禁带宽度窄的半导体材料等)。 相似文献
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纳米晶PZT薄膜体声波谐振器的研究 总被引:1,自引:1,他引:1
采用改进的溶胶-凝胶(Sol-Gel)法,在Si基Pt电极上沉积了PZT压电薄膜,并研制了以SiO2为声反射层的体声波谐振器.用X-射线衍射、电镜扫描及原子力显微镜测试表明,PZT薄膜具有(110)择优取向,良好的短柱状自行晶结构及平滑的表面,晶粒平均尺寸为50~60 nm.介电性能测试结果表明,介电常数保持约800,损耗角为0.02.用网络分析仪测试体声波谐振器得到较好的频率特性,即串、并联谐振频率分别为2.91 GHz和3.01 GHz,机电耦合系数为8.18%.在敏感元电极上加载1 μL浓度为0.2 μg/μL的磁性微球溶液,谐振频率降低了0.09 GHz. 相似文献