低工作电压聚噻吩薄膜晶体管

以高掺杂Si单晶片作为衬底且充当栅电极,采用磁控溅射法在硅片上沉积HfTiO薄膜作为栅介质层,聚三己基噻吩(P3HT)薄膜作为半导体活性层,金属Au作为源、漏电极,并采用十八烷基三氯硅烷(OTS)对栅介质层表面修饰,在空气环境下成功地制备出聚合物薄膜晶体管(PTFT).PTFT器件测试结果表明,该晶体管在低的驱动电压(<-1 V)下仍呈现出良好的饱和行为,其阈值电压和有效场效应迁移率分别为0.4 V和2.2×10^-2 cm²/V ·s.通过对金属-聚合物-氧化物 关键词： 聚合物薄膜晶体管 聚三己基噻吩 场效应迁移率 k栅介质')" href="#">高k栅介质     

溶液法制备金属氧化物薄膜晶体管的研究进展

金属氧化物薄膜晶体管(MOTFT)因具有迁移率高、可见光透明、工艺简单、可低温制备等优势,在高性能平板显示、可穿戴柔性电子、集成传感器等领域具有广阔的应用前景.主要回顾了溶液法制备MOTFT的研究进展.首先介绍了溶液法制备MOTFT相对于其他方法的优势,如工艺简单、制作成本低、易掺杂;然后阐述了浸涂法、喷雾法、旋涂法、印刷法加工工艺的特点及优缺点,比较了不同溶液加工工艺所制备MOTFT的电学性能;最后指出了目前溶液法制备MOTFT存在的问题,并从有源层材料与结构、栅介质层材料与界面、退火与预处理3个方面详细地讨论了溶液法制备的优化方法.     

低功率激光对人眼损伤的累积效应与防护

随着激光技术的研究与应用愈来愈深入广泛,低功率激光对人眼健康的影响究竟如何,尚无定论。本文以临床对照为依据,提出了激光对人眼损伤具有累积效应的观点,论述了可能存在的损伤机理,并指出了长期从事激光工作的人员,必须注意防护措施。     

无镉的铜铟镓硒太阳电池关键膜层XPS及AFM分析

应用溅射后硒化法和原子层沉积法分别制备了无镉的铜铟镓硒电池关键膜层CIGS光吸收薄膜和ZnO缓冲层,着重对该两膜层进行XPS和AFM表面分析,得到比较理想的制备工艺条件,并结合其它检测方法:SEM、XRD及吸收光谱等,证明采用操作简便、成本低廉的该工艺能制备出无镉的铜铟镓硒电池。通过I-V测试结果,该电池有一定的光电转换效率。