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1.
NdAlO3-CaTiO3微波介质陶瓷材料的研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
为实现NdAlO3-CaTiO3体系陶瓷材料的优异微波介电性能,采用传统固相反应法制备了(1-x)NdAlO3-xCaTiO3粉末,研究了不同x值对NdAlO3-CaTiO3陶瓷结构和性能的影响.结果表明,当x取0.60,0.65,0.70,0.75,0.80时,所制陶瓷的结构均比较致密,无气孔,晶界清晰,主晶相为(1...  相似文献   
2.
为满足NdAlOa -CaTiO3体系陶瓷材料(CNTA)的微波介电性能,用传统固相反应法制备了0.32NdAl(1+x)O3-0.68CaTiO3陶瓷材料.针对当x=-0.003,-0.002,-0.001,0,0.001,0.002,0.003时,研究了Al3+的非化学计量比对0.32NdAlO3-0.68CaTiO3微波介质陶瓷材料结构和性能的影响规律.结果表明,陶瓷结构均较致密,无气孔,晶界清晰,各组分的X线衍射峰基本一致,主晶相均为0.32NdAlO3-0.68CaTiO3.与x=0的配方葙相比,Al3+的变化导致材料的密度和品质因数与频率的乘积(Q×f)变大,微波介电常数(εr)减小.随着x由0向±0.003变化时,陶瓷材料的密度在x为-0.001和0.001时达到极值,分别为4.841 g/cm3和4.884 g/cm3.当x=0时,微波εr=45.13向两边递减,Q×f值分别在x为-0.001和0.001时达到极值,分别为36 700和36 600.  相似文献   
3.
AD9858在捷变频频率合成器设计中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
余军  庞翔  夏永祥 《电讯技术》2007,47(2):96-99
系统地介绍了一种低杂散、低相位噪声、快速捷变频频率合成器的实现途径,用TMS320VC5409控制AD9858得到宽带、低相噪、高SFDR(无杂散动态范围)的输出信号.文中详细阐述了高性能DDS芯片AD9858的主要性能及其应用方法,着重说明了AD9858时钟电路的设计、调试方法,并给出了用PN9000相位噪声仪测试的结果.该数字频率合成器通过编程可方便地实现单点频、线性调频和调相功能, 经过实际应用达到了比较满意的效果.  相似文献   
4.
从微磁学理论出发,建立了单轴应力作用下的等效模型;利用美国国家标准技术协会(NIST)开发的微磁学软件OOMMF,从理论上研究应力对厚30nm的FeCoSiB非晶磁弹性薄膜图形化单元磁畴、剩磁、矫顽力等磁性特性的影响。结果表明,FeCoSiB非晶磁弹性薄膜的磁矩分布随应力的变化明显不同;当应力于外磁场方向平行时,薄膜单元的矫顽力和剩磁随张应力的增加而线性增加,随着压应力的增加而线性减小。  相似文献   
5.
SiO2含量对PTFE/SiO2复合材料性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
采用类似于粉末冶金工艺,制备了无定形SiO2填充聚四氟乙烯(PTFE)复合材料,并对其进行了热、介电性能测试和SEM分析表征。系统研究了(1-x)PTFE-xSiO2(x为质量比)复合介质材料中,不同x值(x=0.35,0.40,0.45,0.50,0.55)对材料结构和性能的影响。结果表明,复合材料的密度随着SiO2含量的增加而减少,吸水率、热膨胀系数、介电常数和介电损耗随着SiO2含量的增加而增加。当SiO2质量分数为50%时,PTFE能很好地在SiO2表面形成一层包覆层,此时复合材料具有合适的热膨胀系数(17μ℃-1)、介电常数(2.74)和低介电损耗(0.002)。  相似文献   
6.
采用化学旋蒸工艺,制备了无定形SiO2填充聚四氟乙烯(PTFE)复合材料,并对其进行了热、介电性能测试和SEM分析表征。系统研究了PTFE SiO2复合介质材料中,不同粒径的SiO2 (4 μm,9 μm,13 μm,20 μm)对材料结构和性能的影响。结果表明,复合材料的密度、热膨胀系数、介电常数随着SiO2粒径的增大而增加,而介电损耗则随着SiO2粒径的增大而减小。当SiO2的粒径为20 μm时,PTFE能很好的在SiO2表面形成一层包覆层,此时复合材料具有合适的热膨胀系数(17.58×10-6/℃)、介电常数(2.82)和低介电损耗(0.001 2)。  相似文献   
7.
采用化学旋蒸工艺,制备了无定形SiO2填充聚四氟乙烯(PTFE)复合材料,并对其进行了热、介电性能测试和SEM分析表征.系统研究了PTFE-SiO2复合介质材料中,不同粒径的SiO2(φ4μm,φ9 μm,φ13 μm,φ20μm)对材料结构和性能的影响.结果表明,复合材料的密度、热膨胀系数、介电常数随着SiO2粒径的增大而增加,而介电损耗则随着SiO2粒径的增大而减小.当SiO2的粒径为φ20μm时,PTFE能很好的在SiO2表面形成一层包覆层,此时复合材料具有合适的热膨胀系数(17.58×10-6/℃)、介电常数(2.82)和低介电损耗(0.001 2).  相似文献   
8.
无机微/纳米粒子表面包覆改性技术   总被引:2,自引:0,他引:2  
综述了无机微/纳米粒子表面包覆的形成机理,从有机和无机包覆两个方面阐述了无机微/纳米粒子表面改性技术的研究进展,对偶联剂改性、表面接枝聚合法、机械混合法、球磨法、溶胶-凝胶法等常用的包覆方法一一进行了介绍和举例,并提出了超细无机粒子的包覆改性中存在的几个亟待解决的问题.  相似文献   
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