压敏电阻在线监控技术研究

针对金属氧化物压敏电阻(MOV)在工作中出现的失效和燃烧事故,给出了几种在线监控MOV的方法,可在MOV失效前发出告警信号,及时处理,从而避免严重事故发生.通过实践证明监控方法有效并且规模应用.监控技术在MOV器件上实现技术和应用突破,供其他类型浪涌保护器件参考,以期带动整体保护器件的失效预防.     

一种适合∑-△A／D转换器的FIR数字滤波器

讨论了一种用于∑-△A／D转换器的固定系数半带（half-band）FIR数字滤波器，分析了其线性相位特性和低通滤波特性，给出了频率仿真结果，以及在Cadence设计系统中的电路和版图实现。     

聚焦模拟技术 谋求长远发展——美国国家半导体中国区总经理李乾先生的回顾与展望

新年伊始，美国国家半导体(National Semiconductor Corporation)中国区总经理李乾先生在与北京媒体见面时回顾了2003年的经营成果，该公司在无线手机、电脑及服务器、显示终端和网络通信四大市场皆有出色的表现。展望未来，美国国家半导体将持续投入资金和人才研发模拟技术，为业内提供更高效能的模拟产品，推动全球半导体业的茁壮成长。     

双光子激光三维微细加工及信息存储技术

利用具有极高脉冲光强的飞秒激光器和对光束进行强聚焦的显微镜装置可以制造具有亚微米精度的三维微器件以及进行三维高密度信息存储。文本介绍了自行开发的双光子微细加工系统以及三维高密度信息存储系统，以及用该系统进行三维光学微细加工及三维光学信息存储的实验情况，给出了部分利用已建立的加工系统所获得的初步实验结果。     

分布式无线传感器网络通信协议研究

在归纳分布式无线传感器网络研究进展的基础上，给出了综合分布式无线传感器网络技术各个方面的协议体系结构，并在新的体系结构下，系统地阐述了分布式无线传感器网络通信协议研究的进展，介绍了典型的应用案例和国外相关计划的研究情况。最后，指明了这一处于发展初期的研究领域的未来发展方向。     

基于CCS和DSK5402板的音频采集和回放程序设计

为了给程序设计作下基础,本文首先介绍了TI公司的TMS320VC5402和AIC(模拟接口电路)芯片TLC320AD50C的特点,最后着重介绍了利用DSK板上的TMS320C5402和TLC320AD50C实现音频采集并实时回放的软件设计过程,并利用CCS进行了模拟.     

应对无线通信领域面临的巨大挑战--听PicoChip市场副总裁Rupert Baines先生演绎灵活基站技术解决方案

无线技术日趋复杂，其发展远远超出了摩尔定律的限制。当标准以前所未有的速度改变时，市场也在进一步分块运作，与此同时，全球化竞争也在不断加强。分析今天的通信产业，需求方需要以最少的资源开发出最多的产品。他们面对的是标准多样化、标准变化快、竞争日益加强、产品种类繁多、OEM厂商较难保持供应能力、运营商担心产品过时等不确定性。     

瞬态非傅里叶导热效应判据的探讨

讨论了通用傅里叶导热定律的数学模型,推导了半无限大物体在第一类边界条件下的基于非傅里叶导热定律的双曲线型偏微分方程的解析解。通过分析非傅里叶导热定律在瞬态条件下温度分布的变化过程,提出了非傅里叶导热效应的瞬态判据以及非傅里叶导热的作用范围,对研究工程中瞬态导热问题(如激光处理,电子束处理等)有重要意义。     

源动亚洲创新思维--国际电联2002亚洲电信展观感

1 亚洲最高规格的通信盛会 2002年12月,当中国内地大部分地区已经进入了隆冬季节的时候,位于维多利亚港湾畔的香港仍然是一派暖意,以“源动亚洲,创新思维”     

ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底的制备和GaN薄膜的生长

利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al₂O₃衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al₂O₃固相反应制备了具有ZnAl₂O₄覆盖层的α-Al₂O₃衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl₂O₄薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl₂O₄表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl₂O₄在高温下不稳定. 在ZnAl₂O₄覆盖的α-Al₂O₃衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl₂O₄厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl₂O₄覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量.