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1.
2.
对本科毕业设计指导工作的分析和建议 总被引:6,自引:0,他引:6
毕业设计是加强和完善本科学习阶段的最后一个环节,直接影响着本科人才培养质量和学校总体教学水平,是学生在校期间对所学知识的一次全面检验、总结和提高。本文阐述了毕业设计的重要性与必要性,结合南京理工大学的实际,分析和总结了毕业设计的现状与存在的问题,从科学选题、完善毕业设计过程、因材施教、保证毕业设计论文质量等方面提出了改进毕业设计工作的措施。实践证明,这些措施和建议是切实可行的。 相似文献
3.
铟封前后透射式GaAs光电阴极光谱响应特性的测试与分析 总被引:2,自引:0,他引:2
利用自行研制的光谱响应测试仪工程化样机,对透射式GaAs光电阴极在高温激活结束、低温激活结束以及铟封成管后的光谱响应特性进行了测试。结果显示,铟封后阴极整个响应波段的光谱响应下降,长波响应受到最显著的影响,表现为800~815 nm之间长波响应大幅度衰减,截止波长和峰值波长向短波移动,峰值响应和积分灵敏度减小,最终的光谱响应曲线变得平坦。阴极参量的计算结果反映铟封后阴极的表面逸出几率降低,说明铟封引起阴极表面激活层发生变化,使得能量较低的长波段光生电子不容易逸出,阴极长波响应和灵敏度随之降低。进一步分析了铟封过程中影响阴极表面激活层的因素。 相似文献
4.
5.
本文针对S_(20)光电阴极标准工艺中测锑膜透过率存在的具体困难,回顾了碱金属前处理阴极基底的演变过程,认为新型多碱阴极的高灵敏度和好的光谱响应是碱金属前处理阴极基底的结果。本文从工艺的难易程度,残余气体对锑层的污染,玻璃的有关物理化学性质等几方面分析了碱金属前处理阴极基底的作用,认为碱金属前处理阴极基底等于在阴极和基底之间引进了一层增透膜。 相似文献
6.
We create a GaN photocathode based on graded Alx Ga1-x N buffer layers to overcome the influence of buffer-emission layer interface on the photoemission of transmission-mode GaN photocathodes.A gateshaped spectral response with a 260-nm starting wavelength and a 375-nm cut-off wavelength is obtained.Average quantum efficiency is 15% and short wavelength responses are almost equivalent to long wavelength ones.The fitted interface recombination velocity is 5×104 cm/s,with negligible magnitude,proving that the design of the graded buffer layers is efficient in obtaining good interface quality between the buffer and the emission layer. 相似文献
7.
利用在线多信息紫外光电阴极激活评估系统,测试了真空室内两个GaN 光电阴极Cs,O激活后及衰减6 h和18 h后补Cs的光谱响应特性曲线和量子效率曲线;并绘制了光纤光源波长为300 nm的光电阴极响应电流衰减变化曲线.实验结果证明,GaN 光电阴极较GaAs阴极具有更好的稳定性,量子效率可保持相对稳定达10 h,然后缓慢衰减,衰减速率较窄禁带半导体材料低得多.补Cs后光电流最大值较刚激活完有16.8%的增长,这充分证明阴极表面量子效率衰减的原因是Cs的脱附,而不是O的吸附.这些现象可由双偶极层模型来解释,
关键词:
光学
光电阴极
量子效率
稳定性 相似文献
8.
从NEA GaAs光电阴极的激活光电流曲线发现,当系统真空度不很高时,在首次Cs激活阶段,表面掺杂浓度较低的阴极材料,其光电流产生需要的时间也较长.同时,随着系统真空度的提高,这种时间上的差异又变得不再明显.该现象表明,Cs原子在阴极表面的吸附效率同表面层掺杂浓度以及系统真空度之间有直接的联系.为定量分析这种关系,本文根据实验数据建立了Cs在阴极表面吸附效率的数学模型,利用该模型仿真的结果同实验现象非常符合.该研究对进一步开展变掺杂阴极结构设计和制备工艺研究具有重要的价值和意义.
关键词:
GaAs光电阴极
吸附效率
真空度
表面掺杂浓度 相似文献
9.
10.
指数掺杂透射式GaAs光电阴极表面光电压谱研究 总被引:1,自引:1,他引:0
通过求解一维稳态少数载流子扩散方程,推导了指数掺杂和均匀掺杂的透射式GaAs光电阴极表面光电压谱理论方程。利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延生长了发射层厚度相同、掺杂结构不同的两款透射式阴极材料。通过表面光电压谱实验测试和理论拟合发现指数掺杂结构在发射层厚度和后界面复合速率相同的情况下能够有效提高阴极电子扩散长度,这主要由于内建电场能够促使光生电子通过扩散和电场漂移两种方式向表面运动,从而最终提升阴极的发射效率和表面光电压谱。利用能带计算公式和电子散射理论对这两种不同结构材料的表面光电压谱进行了详细分析。 相似文献