排序方式: 共有20条查询结果,搜索用时 8 毫秒
1.
2.
近年来宽禁带半导体的研究发展十分迅速。P型掺杂及稀磁掺杂问题都是目前研究的热点。例如:氧化锌(ZnO)的P型掺杂,氧化锌、氮化镓的过渡金属元素掺杂等等。虽然实验上取得了一定的进展,但其掺杂机制并不十分清楚。尽管理论上已经有很多相应的掺杂模型,但如何从实验上确定实际样品中杂质原子所处的原子位置并不容易,因而理论模型也就难以得到验证。在本工作中,我们给出一种电子能量损失谱理论计算和实验相结合来确定杂质原子所处的原子位置的方法。这种方法并不仅仅局限于对掺杂机理的研究,还可以推广到其它缺陷的研究,如:空位、界面、位错等。 相似文献
3.
Si3N4是一种用途广泛的功能材料,Si3N4纳米线有望在电子、光学和机械领域展现其特殊性能:在没有催化剂情况下,我们在硅衬底上直接合成了Si3N4/SiO2同轴纳米线。生长条件:氮气氛.生长温度1250℃.1.5h,自然冷却。利用电子衍射、高分辨像和电子X射线能谱技术,我们用Tacnai F30场发射电子显微镜研究了Si3N4/SiO2同轴纳米线的微观组织结构,探讨了这种纳米线的生长机制。 相似文献
4.
5.
6.
在现有的一台蒸发镀膜机基础上,设计加工了一个双热舟化学气相沉积系统.该系统具有真空度高、升温速度快、源和衬底温度可分别控制等优点,有利于化合物半导体纳米材料的生长.利用该生长系统,通过在生长过程中掺入等电子杂质In作为表面活性剂,分别在Si衬底和3C-SiC/Si衬底上生长出高质量的具有纤锌矿结构的单晶GaN纳米线和纳米尖三棱锥.所得产物通过场发射扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜、能量色散x射线谱仪、x射线衍射仪,和荧光谱仪进行表征.这里所用的生长方法新颖,生长出的GaN纳米尖三棱锥在场发射和激光方面有潜在的应用价值.
关键词:
GaN
纳米结构
透射电子显微镜
光致荧光谱 相似文献
7.
硅衬底上外延CVD金刚石膜界面原子排列直接观察尤力平*高巧君(*北京大学电镜室,北京大学物理系,北京100871)CVD金刚石膜作为新型功能材料以其独特的优异性能引起材料工作者极大的兴趣。近年来,异质外延CVD金刚石单晶是国内外研究的热点之一,这是因... 相似文献
8.
薄膜材料透射电镜截面样品的简单制备方法 总被引:1,自引:0,他引:1
针对薄膜材料透射电镜截面样品制备过程复杂、制样成功率低的问题,本文详细介绍了一种操作简单、实用性强的制备方法,采用该方法可以成功制备出脆性衬底上薄膜材料的TEM截面样品。 相似文献
9.
用大束流加速器和透射电子显微镜研究了Zr-4合金在310 ℃和350 ℃下的质子辐照效应。当质子能量为2 MeV,在310 ℃和350 ℃下质子辐照产生原子离位损伤达5 dpa(注量率为8.5×1013 cm-2·s-1),辐照前后的明场像、高分辨相和电子衍射花样均表明:在310 ℃辐照产生原子损伤达到5 dpa,沉淀相Zr(Cr,Fe)2边缘5~10 nm的区域已经非晶化,而在350 ℃时质子辐照却没有非晶化发生。沉淀相Zr(Cr,Fe)2的元素分布图像和浓度分布表明,铁元素向基体扩散并且聚集在非晶化边界区域。 相似文献
10.
Etectroluminescence peaking at 1.3 μm is observed from high concentration boron-diffused silicon p^+-n junctions. This emission is efficient at low temperature with a quantum efficiency 40 times higher than that of the band-to-band emission around 1.1 μm, but disappears at room temperature. The 1.3-μm band possibly originates from the dislocation networks lying near the junction region, which are introduced by high concentration boron diffusion. 相似文献