曝光剂量精度误差分析研究

曝光剂量精度是光刻工艺中重要的控制参数,从剂量控制模型出发,分析了影响剂量精度的因素并建立误差模型,进一步将需求指标分解到各误差项,作为剂量控制系统的设计输入;通过试验测试剂量精度和重复精度满足设计需求,验证了剂量误差模型的准确性。     

接触接近式曝光机曝光方式浅析及实例

不同的曝光方式适应不同的曝光工艺,对接触接近式曝光机的曝光方式进行了研究,分析了不同曝光方式适用的场合。并给出了一个通过改进曝光方式实现曝光工艺的成功实例,进一步证明了将产品生产工艺知识融入到半导体设备设计研发过程中的必要性。     

全自动光刻机的同步控制方法

对于一种包含多个相对独立又彼此干涉机构的全自动光刻机，设计合理的控制方法才能使各个机构高效而稳定地协同工作。按照机械结构将设备划分为4个控制对象，采用同步控制方法使这4个对象实现并行工作。这种控制方法相对于顺序执行工艺流程的方式，极大地提高了设备的运行效率。而且，这种同步控制方法也可适用于具有类似控制要求的其他设备。     

晶片映射系统原理及实现算法研究

介绍了晶片映射系统及其原理。该系统修正了机械手采用传统方式自动取片时执行效率低、料片状态无纠错功能的弊端,并详细论述了该系统的实现细节及算法。     

全自动引线键合机校正系统设计与实现

简要阐述了键合机中校正系统设计,包括伺服系统校正,图像系统校正,物料系统校正等。     

基于面向对象的全自动引线键合机软件设计

在设备软件研发过程中,利用面向对象的思想,将经过需求分析后功能初步明确的软件,进行模块化划分,并运用面向对象的抽象、封装、继承、多态四大特征进行设计。介绍了用面向对象的思想进行全自动引线键合机软件设计。     

氢化石墨纳米结构的合成及尺寸相关的荧光性质

在溶剂热反应条件下(180℃),利用还原剂金属钾对卤代苯(溴苯和二溴苯)中的C—Br键进行选择性裂解,而含氢的碳六元环仍稳定且之间可以发生聚合成键,成功合成了2种不同的氢化石墨纳米结构,获得的产物分别呈黄褐色和黑色.拉曼和红外光谱分析结果表明,黑色产物为尺寸约2 nm的氢化石墨纳米片,而黄褐色样品为尺寸更小的氢化碳纳米结构;X射线衍射分析结果表明,2种产物都具有菱方结构但结晶性较低.对合成的氢化石墨纳米结构的荧光性质分析发现,样品具有尺寸相关的荧光现象,同等激发条件下,尺寸较小的黄褐色样品的发光强度约为黑色样品的15倍.     

半导体设备异常处理机制方法的研究

针对半导体设备自动化水平的不断提高,设计一种多线程多等级划分的异常处理机制,并根据设备自身特性,灵活采用软硬件结合或软件异常处理方式去处理设备的异常。