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近年来,由于砷化镓集成电路(GaAsIC)的高速发展,对高质量的SI-GaAs单晶的要求越来越高,现已成为GaAsIC制造技术的关键之一。电子部南京电子器件研究所依靠自己的力量,在过去成功经验的基础上,自筹资金自行设计制造了JW0018型新一代高压单晶炉,在国内首先使用了三温区石墨加热系统进行了75mmGaAs晶体生长,首次投新料就获得了较为满意的结果。具体参数指标如下:电子迁移率:5.47×103cm2/V·s电阻率:23×107/Ω·cm位错密度EPD:8.8XIO4cm-’迁移率径向均匀性凸p/P:53见电阻率径向均匀性凸人P:146拓从得到的结果… 相似文献
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在CZ法晶体生长工艺中引入磁场是一门新技术,它使得生长高质量大直径单晶成为可能。本文介绍了纵向磁场和横向磁场对GaAs晶体质量的影响,重点介绍了对熔体中的温度波动、晶体中的生长条纹、EL2和电阻率分布等的影响。这门技术目前在国际上得到了广泛的应用。 相似文献
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提高GaAs晶体质量的一种重要手段 总被引:1,自引:1,他引:0
在CZ法晶体生长工艺中引入磁场是一门新技术,它使得生长高质量大直径单晶成为可能。本文介绍了纵向磁场和横向磁场对GaAs晶体质量的影响,重点介绍了对熔体中的温度波动、晶体中的生长条纹、EL2和电阻率分布等的影响。 相似文献
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系统地讨论了熔体的配比与GaAs单晶质量之间的关系,尤其对半绝缘性能、光敏性能以及均匀性方面进行了分析, 以期提高GaAs单晶的质量 相似文献
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系统地讨论了熔体的配经与GaAs单晶质量之间的关系,尤其对半绝缘材料,光敏性能以及均匀性方面进行了分析,以期提高GaAs单晶的质量。 相似文献
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