~（60）CO－γ辐照感生Si／SiO_2慢界面态及其对高频C－V测试的影响

研究了γ辐照感生Ｓｉ／ＳｉＯ２慢界面态的特性及其对高频Ｃ－Ｖ测试的影响．结果表明，辐照产生的慢界面态为界面态的０．３—０．８，分布在Ｓｉ禁带中央以上的能级或呈现受主型．分析认为慢界面态对应的的微观缺陷很可能是Ｓｉ—Ｏ断键或弱键．慢界面态的产生还引起Ｃ－Ｖ曲线同测试速率、方向和扫描前保持时间有关．文中提出了如何通过高频Ｃ－Ｖ测量比较准确地计算辐照感生氧化物正电荷、界面态和慢界面态密度的方法．     

一种新颖的宽带可调谐掺钛蓝宝石激光器

本文报导一种能充分利用掺钛蓝宝石本身的色散能力，作为调谐及压缩线宽的掺钛蓝宝石激光器，谐振腔采用梯形棱镜掺钛蓝宝石晶体和两块ＺＦ６的色散棱镜压缩线宽并构成调谐系统，用三块输出镜，实现了２６５．３ｎｍ的调谐范围；泵浦光能为８５ｍＪ／ｐｕｌｓｅ时，在７６２．６ｎｍ处得到１１．８ｍＪ／ｐｕｌｓｅ的最大光能输出，光一光转换效率达１３．９％。     

Fowler—Nordheim高电场应力引起的MOS结构损伤研究

本文研究了Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ高电场应力引起的ＭＯＳ结构损伤及其室温退火。结果表明有四种损伤产生，氧化物正电荷建立，Ｓｉ／ＳｉＯ２快界面态增长，慢界面态产生和栅介质电容下降，当终止应力后，前三种损伤在室温下有所恢复，但最后一种损伤没有变化，实验还表明：产生的慢界面态分布在禁带上半部；高电场下栅介电容呈现无规阶梯型下降，对四种损伤及其室温退火机理进行了讨论，还给出产生的慢界面态对高频电容－     

优化虚拟演播室系统提高教学视频录制效率

碎片化学习是实现随时可学,随处可学的学习模式,教学视频成为学习者的主要学习资源。目前课程视频资源的建设周期较长,如何让课件录制变得高效,节省录制时间,提高教学视频质量?根据现有虚拟演播系统进行可行性分析研究,提出对原虚拟演播系统的软硬件升级改造,增加硬件设备提词器,利用远程连接软件TeamViewer实现同一PPT画面多屏显示,最后将授课老师视频与PPT画面同时录制并输出。改善授课老师录制过程中的紧张情绪,节省录制教学视频的时间,提高教学视频录制效率。     

基于NCC的图像匹配快速算法

在图像匹配过程中,针对传统归一化积相关（NCC）算法计算量大的问题,提出一种对NCC进行改进的图像匹配快速算法。该算法首先使用差分求和定理改造NCC相似度量函数,以降低匹配计算量。然后提出模板区域分割,设定阈值,进一步去除大量不必要的计算,优化匹配搜索过程,实现了快速匹配。实验结果证明,与传统的匹配算法相比,在保证精度的前提下,计算复杂度大大降低。     

原位合成Ag/Ag2MoO4纳米复合润滑剂对YSZ涂层摩擦学性能的影响

通过大气等离子喷涂工艺制备了氧化钇稳定氧化锆(YSZ)涂层,采用真空浸渍技术和水热合成的方法,将含有反应物离子或分子的前驱体溶液引入YSZ涂层内部固有的微裂纹和孔洞等缺陷中,并在缺陷中原位合成了直径约78~111 nm的Ag/Ag₂MoO₄类球形纳米颗粒,首次制备出了YSZ-Ag/Ag₂MoO₄复合涂层. 摩擦试验结果表明:与YSZ涂层相比,YSZ-Ag/Ag₂MoO₄复合涂层由于在室温和600 ℃下形成了润滑层,抑制了YSZ涂层摩擦表面的脆性断裂和磨粒磨损,从而显著降低了涂层的摩擦系数和磨损率,有效提高了涂层的摩擦学性能.      

酒精混合液的超低频拉曼光谱研究

酒精中低浓度甲醇和乙醇的精准检测是十分重要的。低频拉曼散射是研究液相分子间相互作用最有效的方法之一。本文采用新型超低频拉曼光谱,对不同浓度的乙醇以及乙醇-甲醇混合液进行研究。实验发现,不同浓度下乙醇溶液在78 cm^-1和170 cm^-1存在两个特征峰,不同浓度下乙醇-甲醇混合液在85 cm^-1和178 cm^-1存在两个特征峰。其中,78 cm^-1特征峰是由于OH-O伸缩振动引起的,178 cm^-1特征峰是由于OH-O面内弯曲振动引起的,85 cm^-1和170 cm^-1两个峰是由C-OH的伸缩振动引起的。同时,我们发现了以上超低频特征峰频率与乙醇以及乙醇-甲醇混合液浓度的依赖关系,能够为较低浓度的乙醇和甲醇溶液精确指认提供可借鉴的实验思路和依据。     

应变和电场对Ga2SeTe/In2Se3异质结电子结构和光学性质的影响

异质结构的构筑与堆垛是新型二维材料物性调控及应用的有效策略.基于密度泛函理论的第一性原理计算,本文研究了4种不同堆叠构型的新型二维Janus Ga₂SeTe/In₂Se₃范德瓦耳斯异质结的电子结构和光学性质. 4种异质结构型均为Ⅱ型能带结构的间接带隙半导体,光致电子的供体和受体材料由二维In₂Se₃的极化方向决定.光吸收度在可见光区域高达25%,有利于太阳可见光的有效利用.双轴应变可诱导直接-间接带隙转变,外加电场能有效调控异质结构带隙,使AA2叠加构型的带隙从0.195 eV单调增大到0.714 eV,AB2叠加构型的带隙从0.859 eV单调减小到0.058 eV,两种调控作用下异质结的能带始终保持Ⅱ型结构.压缩应变作用下的异质结在波长较短的可见光区域表现出更优异的光吸收能力.这些研究结果揭示了Janus Ga₂SeTe/In₂Se₃范德瓦耳斯异质结电子结构的调控机理,为新型光电器件的设计提供理论指导.