基于IUV-5G的IP承载虚拟组网设计

针对目前高校通信设备老旧、资金不足,难以进行5G通信系统中IP承载网组网实验教学的状况,提出了利用虚拟仿真平台IUV-5G实现IP承载网组网实验设计方案。通过分析IP承载网组网的实验必要性、实验现状以及虚拟仿真平台的优势,设计了基于IUV-5G的IP承载虚拟组网实验设计,并对于一些关键的设计步骤进行了阐述说明。通过虚拟仿真教学这种模式,可以让学生对IP承载网理论知识以及实际工程中IP承载网组网设计有更加切实的体会,达到通信网理论与组网实践的有效结合。     

GPON中一种二端动态带宽分配算法的设计与分析

首先对GPON中现有的动态带宽分配算法进行了阐述,然后提出了一种有效QoS保证的二端动态带宽分配算法,并给出了该算法的实现流程图.接着针对几种负载下的不同业务吞吐量情况对该算法进行了分析,最后得出了该算法可以满足动态带宽分配公平性的结论.     

激光表面熔铸钴基合金涂层耐磨性的研究

研究了GH33高温合金表面激光熔铸钴基合金涂层对耐磨性的影响。磨损试验表明，熔铸层耐磨性较基体金属提高3倍以上，借助SEM、EMPA、X射线衍射等手段对复合涂层磨损机理进行了探讨。     

在既约梯度法中有限性转轴的简化

In [1], a finite pivoting process was introduced, by which the convergence ofthe reduced gradient algorithm under certain conditions has been proved. In thispaper, we give two simplified versions of the process, which have all the propertiesstated in [1].     

功率AlGaN/GaN肖特基二极管结构优化设计

利用Silvaco-ATLAS软件设计了AlGaN/GaN肖特基二极管(SBD)的基本结构,主要针对功率器件的关键参数—击穿电压进行仿真模拟,分析对比了AlGaN/GaN异质结中Al的组分、二极管阳极与阴极的间距Lac、场板的引入和长度以及FP结构下钝化层Si₃N₄的厚度t对二极管击穿特性的影响。结果显示,Lac的增加、场板的引入和FP结构下钝化层厚度t的变化均对二极管的击穿特性有所优化,但同时,Al组分的增加和Lac的增加对二极管引入了不同程度的负面影响。仿真结果对器件的实际制作具有一定的指导意义。     

高速长距离光孤子传输系统和准线性传输系统

针对高速长距离光纤传输系统,本文介绍了光孤子传输和准线性传输系统的概念及其传输特性,针对单信道和波分复用两种传输模式,比较分析了它们在高速长距离传输中的优劣,并对它们的发展前景提出了自己的观点。     

结温对高压白光LED光谱特性的影响

高压LED因其自身突出的特点在照明领域有着潜在的应用优势,但作为一种新型功率LED,其光电热特性仍需深入研究。该实验对6和9V GaN基高压LED芯片进行了相同结构和工艺条件的封装,对封装样品进行了10~70℃的变温度光谱测试,并进行了从控温平台温度到器件结温的转换。为保证器件的电流密度相同,6和9V样品光谱测试的工作电流分别设定为150和100mA。结果显示,结温升高会导致蓝光峰值波长红移、波长半高宽增大、光效下降和显色指数上升等现象。在相同平台温度和注入功率下,9V样品的结温低于6V样品;随着温度的升高,9V样品波长半高宽的增加量比6V样品少1.3nm,光效下降量少1.13lm·W~(-1),显色指数上升量少0.28。以上表明,与低压LED相比,高压LED有着更低的工作结温和更小的温度影响。原因在于,相同环境温度下高压LED具有更好的电流扩展性和更少的发热量。此特性在高压LED的研究、发展与应用等方面具有参考价值。此外,峰值波长仍与结温有着较好的线性度,在光谱设备精度较高的情况下可继续作为结温的敏感参数。     

ASON RSVP-TE信令中一种快速刷新LSP状态的方法

ASON(自动交换光网络)中控制平面通常采用RSVP-TE信令协议,必需周期性地刷新每条LSP状态.文章讨论了一种快速刷新LSP状态的方法:采用Srefresh集合刷新消息一次刷新多条LSP状态;比较了该方法相对常规刷新方式的优点,分析了该方法的刷新过程,并给出了在多任务操作系统下的实现过程.     

高速长距离光孤子传输系统和准线性传输系统

针对高速长距离光纤传输系统,本文介绍了光孤子传输和准线性传输系统的概念及其传输特性,针对单信道和波分复用两种传输模式,比较分析了它们在高速长距离传输中的优劣,并对它们的发展前景提出了自己的观点。     

Chemical Liquid Phase Deposition of Thin Aluminum Oxide Films

Introduction Inorganic oxide films have attracted a lot of interest in the last several decades. Among them, silicon dioxide films are widely used in modern microelectronics, optics and mechanics. This material has been grown by various methods including thermal oxidation, chemical vapor phase deposition, plasma-enhanced chemical vapor phase deposition, and so on.1,2 Recently, Nagayama et al.3 have reported that SiO2 thin films could be produced by a new chemical method of liquid phase depos…