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1.
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了系列微晶硅薄膜太阳电池,指出了气体总流量和背反射电极的类型对电池性能参数的影响.电池的I-V测试结果表明:随反应气体总流量的增加,对应电池的短路电流密度、开路电压和填充因子都有很大程度的提高,结果使得电池的光电转换效率得以提高.另外,ZnO/Ag/Al背反射电极能明显提高电池的短路电流密度,进而也提高了电池的光电转换效率.对气体总流量和背反射电极类型影响电池效率的原因进行了分析.
关键词:
微晶硅薄膜太阳电池
气体流量
ZnO/Ag/Al背反射电极 相似文献
2.
3.
设计了一种低电压驱动的双稳态电磁型射频MEMS开关.与驱动电压高这几十伏的静电型射频MEMS开关相比,其驱动电压可低至几伏,因此应用时无需增加电荷泵等升压电路.开关可在磁场驱动下实现双稳态切换,稳态时无直流功率消耗.分析了工作磁场的分布特点,进行了结构设计仿真;并使用HFSS软件和粒子群算法进行了射频参数仿真、结构参数优化及主要结构参数显著性研究,得出了影响开关射频传输性能的主要结构参数;采用表面牺牲层工艺制作了原理样机并进行了射频性能参数的测试.结果表明,开关样机在DC~3 GHz工作频率区间内,插入损耗小于0.25 dB,隔离度大于40 dB. 相似文献
4.
NIP型非晶硅薄膜太阳能电池的研究 总被引:3,自引:3,他引:0
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术制备非晶硅(a-Si)NIP太阳能电池,其中电池的窗口层采用P型晶化硅薄膜,电池结构为Al/glass/SnO2/N(a-Si:H)/I(a-Si:H)/P(cryst-Si:H)/ITO/Al.为了使P型晶化硅薄膜能够在a-Si表面成功生长,电池制备过程中采用了H等离子体处理a-Si表面的方法.通过调节电池P层和N层厚度和H等离子体处理a-Si表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺.结果表明,使用H等离子体处理a-Si表面5 min,可以在a-Si表面获得高电导率的P型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P型晶化硅层沉积时间12.5 min,N层沉积12 min,此种结构电池特性最好,效率达6.40%.通过调整P型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能. 相似文献
5.
6.
在高压快脉冲放电装置中,为了启动主回路的火花隙开关,必须有一个幅值高、前沿上升时间小及脉冲宽度足够宽的高压触发脉冲。这样的脉冲常可由闸流管电路或由闸流管电路和高压脉冲发生器组成的联合电路产生。不管在哪种情况下,闸流管电路一般总是不可缺少的。为了解闸流管电路产生的脉冲波形与电路形式及元件参数之间的关系,专门作了实验研究。 相似文献
7.
研究了衬底温度对MOCVD技术制备的ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响. XRD和SEM的研究结果表明,衬底温度对ZnO薄膜的微观结构有显著影响,明显的形貌转变温度大约发生在175℃,低于175℃,薄膜呈镜面结构,晶粒为球状,高于177℃的较高温度范围,薄膜从“类金字塔”状的绒面结构演化为“岩石”状显微组织;随着温度增加,薄膜的晶粒尺寸明显增大.绒面结构的未掺杂ZnO薄膜具有17.96 cm2/V·s的高迁移率和3.28×10-2 Ω·cm的低电阻率,对ZnO薄膜的进一步掺杂和结构优化有望应用于Si薄膜太阳电池的前电极.
关键词:
MOCVD
ZnO薄膜
透明导电氧化物
太阳电池 相似文献
8.
9.
针对现有陶瓷制品敲击声波信号特征提取方法中提取的特征代表性降低的问题,该文提出结合最大重叠离散小波包变换(MODWPT)和时频分帧能量熵的特征提取方法。首先采用MODWPT将信号分解为4层,再对每个节点的子信号分帧后计算各个节点的时频分帧能量熵,然后根据能量分布特征选择了前6个节点的时频分帧能量熵特征,最后构建随机森林分类器完成识别。将该方法和MODWPT时频分段能量熵、MODWPT归一化能量特征两种方法进行比较。实验结果表明,相比MODWPT时频分段能量熵、MODWPT归一化能量两种特征提取方法,MODWPT时频分帧能量熵能提升特征的代表性,具有更优的陶瓷制品敲击声波信号特征识别性能,其识别的F1值达到了98.46%,相比上述两种方法分别提升F1值3.22%、1.86%。 相似文献
10.