8VSB芯片的层次式设计方法

提出了深亚微米下系统级芯片层次式版图设计的方法，并用该方法设计了HDTV信道解码芯片8VSB的版图。实例设计结果表明，该方法在节约面积、加速时序收敛方面效果明显，大大缩短了芯片设计周期。     

恒流二、三极管的特性及其应用

恒流二极管和恒流三极管是许多爱好者不太熟悉的半导体器件。它们都能在很宽的电压范围内输出恒定的电流,并有很高的动态阻抗。由于其温度特性好、价格较低、使用方便,因此目前被广泛用于恒流源、稳压源、放大器以及电子仪器的保护电路中。一、恒流二极管和三极管的性能特点1.恒流二极管的性能特点恒流二极管实际由两端结型场效应管连接而成,其电路     

穿越防火墙/NAT的SIP通信研究

私网和公网之间的安全防护和地址转换的常用方法是防火墙/NAT,但防火墙/NAT不支持SIP协议,阻碍了SIP信令安全地穿过防火墙/NAT,限制了私网内的SIP终端同Internet上的SIP终端之间的业务互通。本文介绍了一种基于虚拟代理和IP隧道的隧道穿透方案,实现了防火墙/NAT两侧的SIP信令和媒体的互通。     

穿越防火墙／NAT的SIP通信研究

私网和公网之间的安全防护和地址转换的常用方法是防火墙／NAT。但防火墙／NAT不支持SIP协议。阻碍了SIP信令安全地穿过防火墙／NAT。限制了私网内的SIP终端同Internet上的SIP终端之间的业务互通。本介绍了一种基于虚拟代理和IP隧道的隧道穿透方案。实现了防火墙／NAT两侧的SIP信令和媒体的互通。     

离子交换过程的基础研究(Ⅰ)—M~(Z+)—■—H~+及M~(Z+)—■离子交换

本文用大孔磺酸树脂SA—209(×8)研究了Li~+、Ca~(2+)、Co~(2+)、Tm~(3+)对H~+正、逆离子交换过程以及~(59)Co~(2+)—、~(169)Tm~(3+)—~(170)Tm~(3+)同位素交抉过程。用前报中提出的界面吸附双电层模型及解离机制满意地解释了实验事实。     

Ag+掺杂的立方相Y2O3:Eu纳米晶体粉末发光强度研究

采用化学自燃烧法制备了不同Ag⁺掺杂浓度的Y₂O₃:Eu纳米晶体粉末样品(［Y³⁺］∶［Eu³⁺］∶［Ag⁺］=99∶1∶X，X=0—3.5×10^-2)，以及通过退火处理得到了相应的体材料.根据X射线衍射谱确定所得纳米和体材料样品均为纯立方相.实验表明在纳米尺寸样品中随着Ag离子浓度的增加，荧光发射强度随之增加，当X=2×10^-2时达到最大值，其发光强度比X=0时提高了近50%.当Ag离子浓度继续增加，样品发光强度保持不变.在相应的体材料样品中则没有观察到此现象.通过对各样品的发射光谱，激发光谱，X射线衍射图谱，透射电镜(TEM)照片和荧光衰减曲线的研究，分析了引起纳米样品荧光强度变化的原因是由于Ag离子与表面悬键氧结合，从而使这一无辐射通道阻断，使发光中心Eu³⁺的量子效率提高；Ag⁺的引入所带来的另一个效应是使激发更为有效.这两方面原因使发光效率得到了提高.     

时限1秒的连续YAG激光对人皮肤损伤阈值的研究

一、实验1.连续YAG激光器件单灯腔体,(?)6×100mmYAG激光器,输出功率～30W,模式为低次模,加光反馈后,光稳定度<±1%.2.光路设计(1)连续YAG激光器;(2)电磁快门控制爆光时间,数字毫秒计作辐照时间的监测;(3)加(?)5mm限孔光阑;(4)腔体后光路加两个光分束片,分别导入监测功率计和电源光反馈系统(见图1).     

应用简谐运动加速度的对称性解题

物体做简谐运动的过程中，在关于平衡位置对称的位置，各个物理量的大小相等．图1所示，弹簧振子在A，B点时的加速度等大反向，任意一对对称点都符合此规律。     

双氯芬酸钠与牛血清白蛋白结合反应的特征

在模拟人体生理条件下,采用荧光光谱和紫外 可见吸收光谱法研究了双氯芬酸钠与牛血清白蛋白的结合反应.实验结果显示,双氯芬酸钠对牛血清白蛋白有较强的荧光猝灭作用,该猝灭过程主要为静态荧光猝灭过程;二者结合常数KLB=2.167×105mol·L-1;二者的结合位置距212位色氨酸2.13nm;同时,由结合反应的热力学参数得出二者作用力主要是氢键或VanderWall's力.     

静电加速管中强流空间电荷效应的研究

 对一种工业用大功率电子加速器(450kW)的加速管中的空间电荷效应作了5点假设，建立了物理模型。对模型的束内外径向电位分布、空间电荷对轴上电位的影响，以及空间电荷力对束流传输的影响等进行了理论分析，得到了束内径向电位分布。结果表明：束流内部径向电位沿径向均呈抛物线变化，并在轴上达到最小值；而空间电荷产生的束内电场与半径呈线性变化；空间电荷不仅会引起轴上电位的跌落，而且对束流有发散作用，特别是在电子速度较低时更为明显。在考虑了空间电荷效应后，强流静电加速管的电场设计关键在加速管的前端，与弱流加速管相比，强流加速管的电场变化要大得多。