排序方式: 共有7条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
2.
采用PIN二极管工艺技术,设计、制作了一种微波单端匹配式PIN单刀单掷功率开关芯片,并给出了详细测试曲线.该开关由四级PIN二极管组成,采用单端匹配结构.工作频率8~10 GHz,整个带内插入损耗小于0.7 dB,输出端口驻波比小于1.4:1,输入端口开关态驻波比均小于1.4:1,在9 GHz点频下测得1 dB压缩点输入功率大于31 dBm,芯片内部集成偏置电路,采用+5 V/-5 V供电,在+5 V工作条件下,电流20 mA.该芯片面积为2.0 mm×1.4 mm. 相似文献
3.
毫米波6W固态集成功率合成放大器研究 总被引:2,自引:0,他引:2
提出一种采用双对极鳍线—微带过渡的Ka频段2×2波导基功率合成结构.这种两路过渡结构在31.0-40.0GHz范围内实测背对背插损小于0.9dB,回波损耗优于12.0dB.组合四块GaAs MMIC功率单片制作的这种新型功率合成器,在32.0-36.0GHz频带、±1.21dB增益波动下获得6W的最大饱和输出功率,带内平均合成效率为82%,且在25W的直流功耗下也保持了极佳的散热性能.这些测试结果验证了本方案的可行性. 相似文献
4.
利用高频分析软件HFSS仿真分析了Ka频段对脊鳍线微带波导过渡结构.将仿真结果对影响过渡性能的几个因素进行了分析,得出了可供工程应用参考的设计曲线,并根据曲线设计了微带波导过渡,在整个Ka频段内,插入损耗小于1dB.实验结果与设计曲线结果相符。 相似文献
5.
6.
7.
1