SiC MOSFET伽马辐照效应及静态温度特性研究

研究了SiC功率MOSFET的γ辐照总剂量效应,获得了其在不同总剂量辐照以及不同环境温度下的输出特性和转移特性,并探究了 γ辐照和环境温度对阈值电压、漏极饱和电流、工作状态的影响规律.研究结果表明,栅氧化层的辐照损伤是导致SiC MOSFET性能退化的主要原因.器件的输出特性、阈值电压及工作状态受辐照剂量影响明显,经室...     

齐纳二极管电子辐照特性研究

研究了电子辐照前后齐纳二极管在不同温度下的直流参数特性以及其动态响应。根据直流伏安特性提取齐纳管理想因子n,发现高注量下n有明显增大,表明辐照引入了复合中心。该器件室温下的直流参数稳定,辐照引起的变化不明显;较高温度下,击穿电压和正向压降等变化稍大。在动态响应的研究中,瞬态电压消失后,电流迅速减小并产生了随时间衰减的振荡。高注量的样品振荡时间相较于低注量的样品有明显的延长,这个延长在器件室温存放之后发生了消退。