一种实用的用于音频功放的带隙基准电路

基于传统的带隙基准电路结构,设计了一种实用的结构简单的带隙基准电路,为音频功率放大器提供基准电压,同时设计一启动电路,能快速地使基准电压建立。设计采用0.18μm 1P4M BCDMOS工艺,电源电压是音频功率放大器中低压差线性稳压器输出的3.3 V。Cadence Spectre仿真表明,tt模型下,室温输出1.26417 V,不同工艺角模型下,温度在-40～150°C内变化,基准电压有5%的偏差。     

变频器用螺栓型铝电解电容器长寿命技术的研究

为了提高变频器用螺栓型高压大容量铝电解电容器的使用寿命、高温高压稳定性以及耐大纹渡电流冲击的特性．通过对工作电解液溶剂、溶质和添加剂的研究与分析,以及对原材料的优选和生产工艺的优化,研制出的产品105℃高温负荷达5000小时。     

一种用于大功率音频功放的高稳定性LDO

设计了一种用于大功率音频功放的高稳定性低压差线性稳压器(LDO),对其电路结构和工作原理进行了分析,重点讨论了上电预充模块、环路稳定性及电源抑制能力。采用0.18μm 1P4M BCDMOS工艺,不同工艺角下,Cadence Spectre仿真表明,LDO的温度系数小于47.45 ppm/℃,瞬态响应最大变化量为50 mV,电源抑制大于71 dB@1 kHz,工作电压范围5 V~24 V,输出电压值为3.3 V;tt(渡越时间)模型下,工作电压为18 V 时,对大功率音频功放进行系统仿真,LDO 表现出约为30μs的启动时间,其输出电压值能很好地跟踪负载电流的变化。     

某高压电连接器的失效分析

针对某型号高压电连接器在电压冲击试验中的失效现象,进行失效分析.分析手段包括X 射线检查、内部检查和金相分析等.检测发现该元件存在多芯导线压接损伤、剥线损伤等缺陷.根据该高压电连接器的失效模式和各项检测结果,分析得出了其失效机理.最后,在元件设计、工艺控制、质量监控方面提出了改进建议.建议实施后该元件通过了各项检测,质量可靠性得到了提升.     

一种宽电源电压的高精度带隙基准电路的设计

设计了一种宽电源电压的高精度带隙基准电路.在综合考虑精度、电源抑制比(PSRR)、宽电源电压要求和功耗等因素的基础上,采用了一种由基准电压偏置的,增益和电源抑制比大小相近的运算放大器解决方案.设计采用CSMC 0.5μm CMOS工艺,电源为3.3V. Cadence Spectre 仿真表明,当温度在 -40 ℃～125 ℃,电源电压在2.56V～8V时,输出基准电压平均值为1.290V,变化0.793mV,有效温度系数为3.72ppm/ ℃;室温下,在低频时具有-97dB的PSRR,在100kHz时为-69dB,功耗为180μW.     

开关电源用高压铝电解电容器长寿命技术的研究

为了延长开关电源用高压铝电解电容器的使用寿命,通过开发并使用硼酸系改性添加剂和24,30碳支链二元酸铵盐,合理选取电解液的溶剂、溶质和吸氢剂开发宽温高电导率的电解液.优选H110-530VF低比容阳极箔、F3K-3.0VF化成负极箔、WS285-60电解纸,100％树脂丁基橡胶等原材料,以及对含浸工艺、钉花工艺、组装封口等关键工艺改进,研制出105℃高温负荷寿命达10 000 h的开关电源用高压铝电解电容器.     

开关电源用高压铝电解电容器长寿命技术的研究

为了延长开关电源用高压铝电解电容器的使用寿命,通过开发并使用硼酸系改性添加剂和24,30碳支链二元酸铵盐,合理选取电解液的溶剂、溶质和吸氢剂开发宽温高电导率的电解液。优选H110-530VF低比容阳极箔、F3K-3.0VF化成负极箔、WS285-60电解纸,100%树脂丁基橡胶等原材料,以及对含浸工艺、钉花工艺、组装封口等关键工艺改进,研制出105℃高温负荷寿命达10 000 h的开关电源用高压铝电解电容器。     

半导体器件扫描电镜低电压成像技术应用

针对使用扫描电镜(SEM)进行半导体器件破坏性物理分析(DPA)和失效分析(FA)时,芯片表面不作喷镀处理的问题,提出了减小或消除电荷累积的试验方法。试验结果表明,正确应用SEM低电压技术,选择加速电压1.0 kV~2.0 kV、电子束斑2.0,结合积分技术,可在芯片表面不作喷镀处理,并满足国军标要求下,得到分辨率和性噪比均很好的图片。     

电子元器件破坏性物理分析中几个问题的探讨

通过对电子元器件破坏性物理分析(DPA)试验中发现的混合电路中塑封器件检查、X射线检查密封宽度判据、剪切强度判据和半导体二极管芯片目检等问题进行分析、探讨,加强对DPA试验评价电子元器件固有可靠性机理的认识,以实现恰当、灵活运用标准开展DPA工作。     

倒装芯片封装器件开封方法研究

对倒装芯片封装(Flip-Chip Package)器件开封技术进行了研究。总结了倒装芯片封装的类型、结构和封装材料；从理论上证明了倒装芯片封装器件开封的可能,并找出了限制开封的制约因素；提出了一种倒装芯片封装器件开封方法,通过X射线检查、镶嵌、磨抛和酸刻蚀的综合应用,突破了限制这类器件开封的因素,并证明了该方法的适用性；给出了建议的试验条件,并展示了开封效果。