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研究了MOVPE生长的与GaAs晶格匹配的(AlxGa1-x)0.51In0.49P(x=0.29)合金的PL谱的温度依赖关系,在变温约为17~230K范围内,谱线半宽多24meV变到40~60meV,强度减小了大约两个数量级。对PL谱积分强度随温度变化的拟合表明,在低温区与高温区存在两个不同的激活能。温度小于90K,活活能为4~5meV,温度大于90K,激活能为25~55meV。认为低温区行为由 相似文献
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研究了无序GaInP样品的温度依赖关系,大低温PL谱中,谱线呈单峰结构。随着温度从15K升高到250K,说地宽从16meV增大到31meV,并且发生红移,同时强度减小两个数数量级。 相似文献
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报道了对有序GaxIn1-xP(x=0.52)样品的变温和变激发功率密度的PL谱的研究。在低温T=17K,低激发功率密度下,谱线呈双峰结构,在低激发功率密度下升高温度,低能端的发光峰发生热猝灭,并在85K完全消失。 相似文献
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在室温下测试了Ga P1 - x Nx(x=0 .0 5 %~3.1% )混晶的喇曼散射谱.在一级喇曼散射谱中观测到了Ga P的L O(Γ)模和强度较弱的禁戒TO(Γ)模以及N的局域模(495 cm- 3) .在N组分较高的一组样品(x=1.3%~3.1% )中,还观察到了位于Ga P的L O(Γ)模和TO(Γ)模之间的由N导致的L O(N)模的喇曼频移(387cm- 1 ) ,其强度随着N浓度的增加而增强.在二级喇曼散射谱中,除了观测到布里渊区中心的声子散射峰2 L O(Γ)外,还观测到了布里渊区边界的声子散射峰2 L O(L )、2 TO(X)以及L O(L ) +TO(X) .且边界散射峰的强度比中心散射峰更强.另外在组分x=0 .6 %和x=0 .81%的样品 相似文献
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在室温下测试了GaP1-xNx(x=0.05%~3.1%)混晶的喇曼散射谱.在一级喇曼散射谱中观测到了GaP的LO(Γ)模和强度较弱的禁戒TO(Γ)模以及N的局域模(495cm-3).在N组分较高的一组样品(x=1.3%~3.1%)中,还观察到了位于GaP的LO(Γ)模和TO(Γ)模之间的由N导致的LO(N)模的喇曼频移(387cm-1),其强度随着N浓度的增加而增强.在二级喇曼散射谱中,除了观测到布里渊区中心的声子散射峰2LO(Γ)外,还观测到了布里渊区边界的声子散射峰2LO(L)、2TO(X)以及LO(L)+TO(X).且边界散射峰的强度比中心散射峰更强.另外在组分x=0.6%和x=0.81%的样品中,还得到了诸如来自不同NNi对或N原子簇团的局域模和由N导致的新的散射峰. 相似文献
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GaP_(1-x)N_x混晶的光致发光谱 总被引:1,自引:0,他引:1
通过Ga P1 - x Nx( x=0 .0 5 %~3.1%)混晶的低温光致发光( PL )谱,探讨了N在不同组分Ga Nx P1 - x混晶的发光特性中所起的作用.在低组分( x =0 .0 5 %~0 .81%)下,Ga Nx P1 - x的PL谱由NNi 对及其声子伴线的发光组成;在高组分( x≥1.3%)下,NNi 对之间相互作用形成的与N有关的杂质带导致了Ga Nx P1 - x混晶的带隙降低.同时,在x=0 .12 %的Ga Nx P1 - x中,得到了清晰的NN3 零声子线及其声子伴线,从而直接证实了NN3具有与孤立N中心完全相似的声子伴线. 相似文献