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本文给出了硅 P~+NN~+结构IMPATT二极管微波振荡器的研制结果.对主腔为径向线结构和外加反射式稳频腔的振荡器进行了实验研究,对耦合线长度的选择进行了理论分析并与实验结果作了比较.用自制的二毫米混频器和PB-12频谱仪观察了振荡器的频谱.在120-140GHz的范围内给出了20毫瓦的输出功率,效率在1%左右. 相似文献
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X-Ray Photoelectron Spectroscopy and Reflection High Energy Electron Diffraction of Epitaxial Growth SiC on Si(100) Using C60 and Si 下载免费PDF全文
The formation of silicon carbide upon deposition of C60 and Si on Si(100) surface at 850^o C is studied via x-ray photoelectron spectroscopy and reflection high energy electron diffraction (RHEED). The C ls, O ls and Si 2p core-level spectra and the RHEED patterns indicate the formation of 3C-SiC. 相似文献
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