ICPCVD-SiN_x对GaN/AlGaN基紫外探测器的钝化效果的研究

采用ICPCVD-SiNx薄膜对GaN/A1GaN基紫外探测器进行钝化,从薄膜绝缘特性、钝化效果两方面,对ICPCVD-SiNx、磁控溅射-SiOx、PECVD-SiOx和PECVD-SiNx四种钝化膜进行对比.制作了钝化膜/GaN MIS器件,通过测试MIS器件漏电流密度和薄膜击穿电场的大小表征薄膜绝缘性能,结果表明ICPCVD-SiNx对应的MIS器件的漏电特性最好,外加偏压为100 V时,其漏电流密度保持在1×10-7 A/cm2以下,薄膜击穿电场大于3.3 MV/cm.采用不同钝化方法制作了p-i-n型AlGaN基紫外探测器,通过计算钝化前后器件暗电流的变化,表征不同钝化方法的钝化效果.结果表明ICPCVD-SiNx钝化的器件,其暗电流比其他钝化方法的器件小近两个数量级,在-5V偏压下暗电流密度为7.52 A/cm2.     

半导体照明产业与标准化研究

半导体照明被世界公认为节能绿色的照明光源。阐述了国内外半导体照明发展计划,通过对我国半导体照明产业状况进行分析,结合我国特点,提出半导体照明标准化发展建议。     

MSPD-GC-ECD测定血液中甲氧基多溴联苯醚

以MSPD为萃取方法,GC-ECD为检测手段,建立了血液中痕量Me O-PBDEs的分析方法。通过对萃取材料、洗脱液、洗脱液体积和样品预处理的影响研究,确定了最佳分析条件:液氮研磨血液样品,ENVI-18为萃取材料,2 mL乙酸乙酯为洗脱液。在该条件下,应用于血液痕量MeO-PBDEs的测定,相对标准偏差小于10%,显示出良好的重复性;方法的检出限为0. 28～0. 62 ng/g,加标回收率在80. 2～117. 9%。结果表明,所建立的分析方法适合于血液中痕量MeO-PBDEs的检测。     

结合AlGaN和PVDF的新型日盲紫外探测器的研究

制作了一种新型的结合了AlGaN材料结构和Poly（vinylidene fluoride）（PVDF）热释电材料的日盲紫外探测器。当紫外光从AlGaN一侧背照射至器件上时,测量PVDF两端的热释电响应光谱,测得峰值响应在入射光波长为260 nm处,响应电压高达129.6 mV（此时辐射功率为39.8 nW）。器件响应机理为:紫外光被i-Al0.35Ga0.65层吸收,产生光生载流子并复合生热,热量通过AlGaN材料传导给PVDF结构的电极,温度升高,PVDF对温度变化产生响应。为了进一步验证,制作了对比器件,即在AlGaN结构和PVDF结构之间加了一层多孔SiO2隔热层,测得的响应光谱中有两个峰值,一个在260 nm,另外一个在300 nm。与参考器件相比,在260 nm处的响应电压大大减小,说明了利用热效应探测的可行性。另外,测量了不同频率下的器件响应并对其进行理论拟合,深入研究300 nm处的响应机理。     

LED显示屏光安全及标准化研究

论述了LED显示屏光安全以及干扰光的基本概念,分析了LED显示屏干扰光的成因,对LED显示屏干扰光的标准化工作进行了探讨和研究,并提出LED屏干扰光标准化研究的技术难点,对LED显示屏设计、安装和使用具有一定的现实意义和指导意义.     

室外LED显示屏光安全及评价

对室外LED显示屏光安全进行研究,确定了室外LED显示屏光安全问题主要体现为干扰光,根据影响对象将干扰光进行分类,给出了干扰光的表征参数如亮度、照度等限值,并介绍了干扰光的现场测量方法和控制措施.     

CCD多晶硅层间绝缘介质对器件可靠性的影响

报道了使用石墨烯作为阳极材料的GaN肖特基型紫外探测器。介绍了光敏面为1mm×1mm的新型肖特基紫外探测器的制备过程。并对器件进行了响应光谱、I-V特性测试。器件的响应光谱较为平坦,峰值响应度为0.175A/W;通过对石墨烯进行化学修饰,使峰值响应度增加到0.23A/W。并根据热电子发射理论,计算出了器件掺杂前后的肖特基势垒高度分别为0.477eV和0.882eV,验证了器件性能的提高主要原因是石墨烯功函数的增加。 更多还原     

限制李三系的Frattinip-子系

主要把群的Frattini理论发展到限制李三系,得到限制李三系的Frattini-子系、Frattini p-子系的性质,给出Frattini p-子系为零时限制李三系的分解.     

探索性实验教学的研究与实践

以“氨的催化氧化”实验为例,从课题的选择、实施过程、教学评价及教学反思等方面对我院“中学化学实验研究”教学中开展探索性实验教学的实践进行了阐述。