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1
1.
用于MEMS器件的单面溅金硅共晶键合技术
总被引:1,自引:0,他引:1
刘兵武
张兆华
谭智敏
林惠旺
刘理天
《半导体技术》
2006,31(12):896-899
分析了金硅共晶键合的基本原理,讨论了键合实验的基本工艺,给出了键合的测试结果.这种键合方法键合温度低,键合工艺简单,与器件制造工艺兼容,对工艺环境要求不高,可以得到满意的键合强度,而且成本低,特别适合于已经做过结构的器件键合封接工艺.
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