排序方式: 共有17条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
Te溶剂垂直区熔法生长Φ20MCT晶体组分控制研究 总被引:1,自引:1,他引:0
采用Te作溶剂在特制的垂直区熔炉上开展了Φ20MCT晶体的生长研究;详细阐述了该方法MCT晶体的生长过程和生长机理;总结了分析了晶体生长过程中影响组分的因素;提出了生长过程中组分控制存在的问题和改善组分控制的措施。 相似文献
2.
3.
4.
外延衬底用CdZnTe晶体进展 总被引:1,自引:0,他引:1
文中简要介绍了CdZnTe晶体用作HgCdTe外延衬底的优点和国内外研究的现状,概括了CdZnTe晶体的生长方法及其特状,概括了CdZnTe晶体的生长方法及其特点,总结了影响CdZnTe晶体生长和晶体质量的因素,提出CdZnTe晶体生长中存在的问题和改善晶体质量的措施。 相似文献
5.
介绍了一种新的碲镉汞晶体生长方法(即双相复合生长法),阐述了该方法的生长机理和生长过程;分析了生长过程中影响晶体生长的因素;总结了该方法晶体生长的特点,并提出了晶体生长过程中存在的问题和改善措施;通过采取低温生长、低温梯度下慢速生长、生长后慢速冷却和适当的晶片退火等措施,获得了大直径(Ф40mm)、大单晶面积(4~10cm2)、径向组分均匀(x≤±0.003)、光电性能良好(77K:ni≤5×1014cm-3、μi≥1.5×10scm2/V.s、≥2μs;300K:0.9mm厚的晶片透过率T≥15%)的碲镉汞晶体。 相似文献
6.
7.
文中提出了晶体生长对温场的要求,分析了温场分布形状对晶体生长和晶体质量的影
响,通过优化温场设计和控制,得到了比较理想且能重复的温场,并在此温场条件下生长出了性能较好的Nd∶YAG晶体。 相似文献
8.
介绍了一种新的碲镉汞晶体生长方法(即双相复合生长法)阐述了该方法的生长机理和生长过程,分析了生长过程了影响晶体生长的因素,总结了该方法晶体生长的特点,并提出了晶体生长过程中存在的问题和改善措施;通过采取低温生长,低温梯度下慢速生长,生长后慢速冷却和适当的晶片退火等措施,获得了大直径(Φ40mm)大单晶面积(4-10cm^2)径向组分均匀(△x≤±0.003),光电性能良好(77K,ni≤5×10^ 相似文献
9.
10.
本文采用有机偶然性沉积法在CaAs衬底上先开展生长双色HgCdTe材料的研究,总结了生长CdTe缓冲层和隔离层x=0.2、x=0.3的HgCdTe晶膜工艺条件,总结出了HgCdTe双色材料的组分均匀性,厚度、表面形貌,结构和电性能。 相似文献