FeCoB-SiO2磁性纳米颗粒膜的微波电磁特性

采用交替沉积磁控溅射工艺制备了超薄多层的FeCoB SiO2 磁性纳米颗粒膜 .利用x射线衍射仪、扫描探针显微镜、透射电子显微镜分析了薄膜的微结构和形貌特征 .采用振动样品磁强计、四探针法、微波矢量分析仪及谐振腔法测量薄膜试样的磁电性能和微波复磁导率 .重点对SiO2 介质相含量、薄膜微结构对电磁性能产生重要影响的机理做了分析和探讨 .结果表明 :这类FeCoB SiO2 磁性纳米颗粒膜具有良好的软磁性能和高频电磁性能 ,2GHz时的磁导率 μ′高于 70 ,可以应用于高频微磁器件或微波吸收材料的设计     

薄膜波导光隔离器和光电子单片集成技术

叙述了Ｂｉ，Ａｌ：ＹＩＧ薄膜的液相外延生长，研究了这种薄膜材料的光吸收系数、法拉第旋转角、磁光优值及生长感生磁各向异性与Ｂｉ含量的关系。在此基础上，连续外延生长了作单模磁光波导的双层Ｂｉ，Ａｌ：ＹＩＣ薄膜。光纤偏振器的使用使薄膜波导光隔离器向实用化迈进了一步，恒磁薄膜作偏磁场为器件集成化作出了贡献。采用ＭＯＣＶＤ技术，在ＧＧＧ（钆镓石榴石）基片上同时外延生长Ⅲ－Ⅴ族半导体薄膜和钇铁石榴石（ＹＩＧ）薄膜，把光隔离器和磁光光源直接集成在一起，是一种非常有前景的光电子集成组件。     

高频应用的NiZn铁氧体磁性能影响因素研究

讨论了Fe2O3、Co2O3、烧结温度对高频应用的NiZn铁氧体磁性能的影响,实验研究了Fe2O3、Co2O3和烧结温度对起始磁导率μi、饱和磁感应强度Bs、矫顽力Hc及样品密度d的影响规律.结果发现,当x(Fe2 O3)=45％～49％时,μi从11单调增加到17,材料的B.从176 mT单调增加到223 mT;当w(Co2O3)=0.4％～2.0％时,μi从20单调降低到11;烧结温度为1 040～1 120℃时,μi从12增加到19,Hc从1 543 A/m降低到926 A/m,d从4.97 g/cm3增加到了5.12 g/cm3.最后,得到性能较好的高频应用NiZn铁氧体Ni0.96 Zn0.04Fe1.88O4(添加w(Co2 O3)=0.8％,w(CuO)=3％,1 080℃下烧结),μ1=11,Bs=195 mT,Hc=1 238 A/m,d=4.82 g/cm3.     

NiCuZn铁氧体的偏置特性及温度稳定性研究

采用传统陶瓷制备工艺制备了NiCuZn铁氧体材料。研究了V2O5、MoO3掺杂对NiCuZn铁氧体材料的微观形貌、直流叠加性能、温度稳定性的影响。研究表明,适量添加V2O5、MoO3可增加铁氧体材料晶界非磁性相的厚度,提高退磁场Hd;从而降低铁氧体材料的磁导率在直流叠加磁场作用下的下降速度。适量添加V2O5、MoO3可调整材料的晶粒尺寸及气孔、晶界等非磁性相的含量;进而改变饱和磁化强度、磁各向异性场、退磁场对材料磁导率的影响权重,最终达到调整材料温度系数的目的。     

片状FeCoZr合金吸收剂吸波性能的正交实验

采用气雾化和机械球磨结合的方法制备片状FeCoZr合金磁粉吸收剂,利用正交实验综合研究了球磨时间、吸收剂粒径和含量对吸波材料在2～18GHz内吸波性能的影响。结果表明:在设计范围内,各因素对吸波材料反射损耗的影响顺序从大到小为:球磨时间、粒径和质量分数;获得的最佳工艺条件:球磨时间为15h、吸收剂粒径小于48μm及其质量分数为75%,从而实现了对吸波材料性能的优化设计。     

NiZn铁氧体内禀参数影响因素研究

该文设计了3组不同的实验方案,分别考察微观结构、Fe2O3含量及r(NiO)/r(ZnO)(摩尔比)对样品内禀参数的影响.采用传统固相反应法,通过优化的制备工艺,制备了性能良好的铁氧体样品,总结了影响样品内禀参数因素的规律.结果表明,微观结构对样品的起始磁导率(μi)和矫顽力(Hc)影响较大,Fe2 O3含量对样品的起始磁导率、饱和磁感应强度(Bs)、剩余磁化强度(Br)和矫顽力均有较大影响,合适的r(NiO) /r(ZnO)可改良样品的内禀参数,需根据材料具体要求选择Fe2 O3含量和r(NiO)/r(ZnO).     

Fe-Si-Al系噪声抑制片的传导噪声抑制特性研究

采用压延工艺将片状化Fe-Si-Al粉与橡胶以适当比例均匀混合制备出了噪声抑制片,并用微带线法测试了样品的传导噪声抑制特性.结果表明,材料的传导噪声抑制效果随着球磨时间的增加而提高,在球磨21 h时达到最佳,继续增加球磨时间则会导致传导噪声抑制效果减弱.不同厚度样品的传导噪声抑制效果的差异主要是由于改变了填充因子造成的.     

Fe-Cr-Si-B非晶磁粉芯的制备与磁性能研究

以水雾法制备的Fe-Cr-Si-B非晶合金粉末为原料制备了非晶磁粉芯,研究了退火温度和成型压力对磁粉芯性能的影响。结果表明:Fe-Cr-Si-B合金粉末具有较高的非晶化程度和良好的热稳定性;当退火温度低于非晶合金的起始晶化温度时,非晶磁粉芯的起始磁导率μi在440℃附近达到峰值44.7,对应的损耗则相对最低(260×10–3W/cm3,50 kHz);当成型压力由30 MPa增大到50 MPa时,磁粉芯的μi由38.6增大到46.4,其损耗则逐渐降低。     

石榴石旋磁材料的可靠性研究

采用普通陶瓷工艺，制备了 Ｙ_３Ｆｅ_５Ｏ_１２石榴石结构的旋磁铁氧体材料，用样品振动磁强计ＶＳＭ测量了材料在不同热冲击条件下饱和磁化强度的变化情况，并且对实验结果进行了分析讨论。实验结果和理论分析表明，这种材料经热冲击后他和磁化强度变化较小，因此饱和磁化强度变化对微波磁性器件的失效基本上不产生影响。     

Ni添加量对FeCoNiB-SiO_2薄膜电磁性能的影响

采用RF溅射工艺制备了FeCoNiB-SiO2系薄膜。研究了Ni添加量对该种薄膜微结构和电磁性能的影响。结果表明,添加适量的Ni有利于FeCoNiB-SiO2薄膜获得优良的微波电磁性能。通过控制Ni的添加量,可以得到在GHz频段同时具有高磁导率和高损耗的薄膜样品,其磁导率实部μ'和虚部μ"在0.5~2.0GHz的宽频带范围内分别大于240和100,在2.1GHz处更是均大于400,其电阻率也达到了868×10–6?·cm。该薄膜可应用于微波吸收材料或抗电磁干扰的设计中。