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利用分子束外延系统在Si (001) 衬底上制备了单晶Tm2O3薄膜, 利用X射线光电子能谱研究了Tm2O3相对于Si的能带偏移. 得出Tm2O3相对于Si的价带和导带偏移分别为3.1 eV± 0.2 eV和1.9 eV± 0.3 eV, 并得出了Tm2O3的禁带宽度为6.1 eV± 0.2 eV. 研究结果表明Tm2O3是一种很有前途的高k栅介质候选材料.
关键词:
2O3')" href="#">Tm2O3
X射线光电子能谱
能带偏移 相似文献
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制备基于二维钙钛矿(PEA)2(MA)4Pb5I16[PEA为C6H5(CH2)NH3, MA为CH3NH3]的垂直结构光电探测器,当二维钙钛矿薄膜厚度为280 nm时,器件的亮电流最大,500 nm处外量子效率达到90%,响应率达到0.37 A/W,探测率达到3.4×1012 Jones(1 Jones=1 cm·Hz1/2/W)。当二维钙钛矿薄膜厚度减小时,器件的响应时间没有持续减小,而在其厚度为80 nm时器件的响应时间最短,这是受载流子渡越时间和钙钛矿薄膜质量双重影响下的结果。在二维钙钛矿薄膜厚度为80 nm的基础上,通过减小器件的有效面积,其最终实现了113 ns的响应时间。本工作对推动低成本快速响应光电探测器的发展有着重要意义。 相似文献
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调制辐射体的可见和近红外区域的辐射光谱与光伏电池吸收光谱的匹配是开发高性能热光伏电池技术的关键.采用电子束蒸发在单晶硅衬底上制备金属Er薄膜并进行后氧化处理制备Er_2O_3薄膜型辐射体.X射线衍射结果表明薄膜结晶良好,且Si基底对Er_2O_3薄膜的晶体结构没有显著影响.X射线光电子能谱拟合结果表明薄膜中Er元素和O元素符合Er_2O_3的化学计量比.高温近红外光谱测试结果表明,样品在1550 nm左右出现了明显的Er~(3+)离子的特征辐射峰,这与GaSb光电池的吸收光谱相匹配. 相似文献
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通过原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XP S)表征,研究了在光敏层与阳极缓冲层界面引入银(Ag)纳米颗粒界面层后对PTB7:PC70BM光 敏层相分离的影响,并通过接触角测试对其影响机理进行了分的,结果表明,当引入Ag纳米 颗粒界面层后,光敏层的表面形貌并没有发生 明显的改变,但是光敏层在横向与纵向方向有了更好的相分离;并发现,引入Ag纳米颗粒引 起 的光敏层优化的相分离,本质上源于其底部PEDOT:PSS层表面能的减小,其中起关键作用的 是乙醇溶剂;通过紫外-可见吸收光谱以及相关电池性能测试确认,乙醇溶剂处理PEDOT:P SS表面有助于提高电池的电性能。 本文研究表明,在有机太阳能电池(OSCs)中引入金属纳米颗粒,不仅要考虑其 光学效应,还要考虑由于光敏层相分离的变化引起的电学效应。 相似文献
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二维(2D)材料由于其超薄的厚度、高度的机械柔性、可调谐的带隙以及易于定制的范德华异质结构,被广泛应用于通信、红外探测、航空航天以及生物医学等领域。其中2D Bi2O2Se作为一种新兴的二维层状材料,具有独特的晶体结构、优异的光电特性和良好的环境稳定性,是制备高性能红外光电子器件的优秀候选材料。本文综述了基于2D Bi2O2Se材料光电子器件的研究进展。首先,介绍了2D Bi2O2Se的晶体结构、能带结构及其光电特性。然后,详述了Bi2O2Se材料的常见制备方法,包括化学气相沉积法和水热合成法。此外,综述了Bi2O2Se材料在场效应晶体管、光电探测器和光开关领域的应用现状。最后,我们总结了全文,并对Bi2O2Se材料的发展进行了展望。 相似文献
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Band Alignment and Band Gap Characterization of La2O3 Films on Si Substrates Grown by Radio Frequency Magnetron Sputtering 下载免费PDF全文
La2O3 films are grown on Si (100) substrates by the radio-frequency magnetron sputtering technique. The band alignment of the La203/Si heterojunction is analyzed by the x-ray photoelectron spectroscopy. The valence- band and the conduction-band offsets of La2 Oa films to Si substrates are found to be 2.40±0.1 and 1.66±0.3 eV, respectively. Based on 0 ls energy loss spectrum analysis, it can be noted that the energy gap of La203 films is 5.18±0.2eV, which is confirmed by the ultra-violet visible spectrum. According to the suitable band offset and large band gap, it can be concluded that La2O3 could be a promising candidate to act as high-k gate dielectrics. 相似文献