首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   5篇
  免费   0篇
晶体学   4篇
无线电   1篇
  2010年   2篇
  2007年   2篇
  1999年   1篇
排序方式: 共有5条查询结果,搜索用时 375 毫秒
1
1.
采用热重分析仪、偏光显微镜、电子探针、显微红外光谱仪及激光拉曼光谱仪对新疆吐鲁番珊瑚化石的颜色成因进行了探讨。热重分析TG和DTG曲线没有出现除方解石以外的其他热分解过程,表明珊瑚化石中不含有机物,有机物不是使其致色的主要原因。偏光显微照片和电子探针背散射(BSE)图像清楚地反映出由珊瑚的方解石骨架围成的空隙被大量方解石和少量白云石所充填。电子探针结果显示不同颜色珊瑚化石的珊瑚骨架化学成分相近,空隙充填物的化学成分存在差异。显微红外光谱显示Mn2+,Fe2+,Fe3+过渡元素离子对Ca2+的类质同像替代使方解石晶体结构发生了一定的变形。激光拉曼光谱结果表明过渡离子的类质同像替代是使珊瑚化石呈色的根本原因。依据晶体场理论,Mn2+,Fe2+,Fe3+的轨道电子跃迁使新疆吐鲁番珊瑚化石呈色。  相似文献   
2.
本文用真空蒸发法制备了CIS太阳能电池中做缓冲材料的ZnSe薄膜,利用X射线光电子能谱(XPS)对制备薄膜的表面化学状态及沉积质量进行了研究,并用氩离子溅射进行剥蚀,逐层分析薄膜的化合态随深度的变化关系.XPS分析表明,ZnSe薄膜含有Zn、Se、O、C等元素,其中O、C为样品置于空气中所致,含量随剥蚀深度的加大而逐渐降低.Zn的光电子峰为Zn2p1/2和Zn2p3/2,Zn2p3/2的电子结合能为1021.90eV,对应着Zn2+的化合态,表明薄膜中zn以形式电荷为Zn2+的化合态形式存在;Se的光电子峰为Se3d,其电子结合能为54.30eV,对应着Se2-的化合态,表明薄膜中Se以形式电荷Se2-的化合态形式存在.分别经过1min、3min、7min、11min的剥蚀后,Zn和Se的光电子峰几乎没有改变,表明沉积的ZnSe薄膜表面和内部化学状态稳定一致.  相似文献   
3.
单源真空蒸发法制备ZnSe薄膜的实验研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文采用单源真空蒸发法制备了ZnSe薄膜,利用电子探针、X射线粉晶衍射等现代测试手段研究了蒸发温度(700~1050 ℃)、基片温度(0~200 ℃)、基片材料(单晶硅、玻璃)以及热处理温度(300~400 ℃)等因素的改变对ZnSe薄膜的成份和结构的影响规律,建立了单源真空蒸发沉积ZnSe薄膜及热处理的实验方法.  相似文献   
4.
利用偏光显微镜、电子探针仪及X射线粉晶衍射仪,对一种翡翠的仿制品-人造透辉石微晶玻璃的显微结构、析晶特征、化学成分及物相组成进行了研究.该微晶玻璃外观具有明显的放射状晶花,偏光显微镜下观察及BSE图像反映出透辉石微晶玻璃具有显微斑状结构,且含特征的骸晶.电子探针测试得到该材料内玻璃质基质、主晶相透辉石及少量石英的化学成分,其中透辉石内的镍含量明显高于天然翡翠.X射线粉晶衍射分析确定其主要物相为透辉石和玻璃质,与天然翡翠以硬玉、纳铬辉石等为主要矿物组成不同.  相似文献   
5.
黄铜矿型CuInSe2单晶光电材料研究评述   总被引:3,自引:1,他引:2  
Cu-Ⅲ-Ⅵ2族系列的黄铜矿型半导体化合物可用于光电装置,CuInSe2是Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族的一个成员,其带隙能为1eV,光吸收系数较大,有希望成为潜在的太阳能材料.本文阐述了CuInSe2晶体的光电性能及在作为太阳能材料方面的应用,对合成CuInSe2单晶的各种生长方法进行了归纳和总结,并指出了研究中存在的问题和今后努力的方向.  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号