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本文应用MOCVD技术制备出高质量的GaAs,AlGaAs外延材料以及GaAs/AlGaAs异质结和多量子阱结构.首次成功地用该技术生长了微波HBT全结构材料,并获得了较高性能的器件结果:300K时直流增益(β)为15~40,77K时为60,截止频率大于10GHz,最高振荡频率为5.5GHz. 相似文献
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根据非中心对称双轴晶体中两束基频光与它们产生的二次谐波的折射率曲面的关系及相位匹配条件,分析了和频效应相位匹配曲面的特点,对正常双轴晶体得出了可实现的29种相位匹配曲面拓扑图和存在条件,15种非临界相位匹配类型、存在条件和偏振关系.并用这种理论分析了LAP晶体、KB_5晶体的和频性能. 相似文献
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