GaAs单片移相器设计

本文选择了适于单片微波集成的移相器设计方案,使用砷化钾(GaAs)0.5μm高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺原型,经微波电路、电场仿真,设计出五位移相器,并试制了180°位样片。试制样品尺寸1.5×1.0mm2,测试结果性能良好,在2.5~5.0GHz带宽内,移相起伏小于10;°在2.6~3.5GHz带宽内,移相起伏小于5°,同设计仿真结果基本吻合。     

电磁环境复杂度定量分析方法研究

针对战场电磁环境复杂多变,定性、定量描述困难的特点,详细分析了电磁环境一般复杂性和特定复杂性的内涵.提出了一种基于D-S证据理论的电磁环境复杂度定量分析方法,根据电子系统受其影响工作效能下降来划分电磁环境的复杂程度等级,并在此基础上进行实际问题的分析.文章提出的评估方法对评估电磁环境的一般复杂性和特定复杂性具有一定的指导意义,较好地满足了战场电磁环境复杂程度评估的需求.