排序方式: 共有7条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
我们利用高分辨电子显微术,曾对Cu_2O中氧原子的成象规律进行了研究,并利用这种规律研究了一系列初期氧化物中氧原子位置。本文将讨论已知结构的Cu_2S晶体的高分辨观察结果及硫原子成象问题,以作为用HREM研究金属初期硫化产物的一个开端。将离子薄化的纯铜薄膜(纯度为99.99%)放置于壁上附有微量硫的封闭石英管中,在真空度为10~(-2)pa,温度为300℃的条件下进行硫化实验。所获样品的x射线能谱分析及电子衍射分析表明:在铜膜的边缘处形成的小晶体为Cu_2S,它具有逆荧石结构,晶格常数为a=0.55nm。图1的插图给出了 相似文献
2.
使用高分辨像定量分析方法和像模拟技术,对外延生长的GaAs/InxGa1-xAs应变层超晶格的微观组态进行了详细的分析。用像模拟验证了成像位置与结构投影的对应关系。使用像点定位及畸变测量的分析方法,获得了晶格畸变位移分布图及畸变沿生长方向的分布曲线,扣除由四方畸变导致的点阵膨胀与收缩,得到了仅由In元素分布导致的点阵参数变化曲线。由晶格参数与In元素含量的线性对应关系,获得了超晶格中In元素沿生长方向的分布曲线。 相似文献
3.
SiC/Si3N4复合材料中晶间相的能量过滤像研究*于瀛大戴吉岩兰建章李斗星叶恒强(中国科学院金属研究所固体原子像开放研究实验室,沈阳110015)复合材料的高温机械性能在很大程度上受材料中的界面和晶间相的影响,因此在纳米尺度上研究其晶间相的形态和化... 相似文献
4.
5.
使用高分辨像定量分析方法和像模拟技术,对外延生长的GaAs/InxGa1-xAs应变层超晶格的微观组态进行了详细的分析.用像模拟验证了成像位置与结构投影的对应关系.使用像点定位及畸变测量的分析方法,获得了晶格畸变位移分布图及畸变沿生长方向的分布曲线,扣除由四方畸变导致的点阵膨胀与收缩,得到了仅由In元素分布导致的点阵参数变化曲线.由晶格参数与In元素含量的线性对应关系,获得了超晶格中In元素沿生长方向的分布曲线. 相似文献
6.
7.
La2O3弥散强化的扩散渗铝涂层的氧化行为研究 总被引:2,自引:0,他引:2
复合镀Ni-La2O3扩散渗铝制备的La2O3弥散强化的NiAl型复合涂层,在1273K氧化20h,比单镀镍渗铝的NiAl型涂层的氧化增重速率低;扫描电镜研究表明,NiAl型涂层掺入La2O3质点后,表面氧化物层形貌明显改观;高分辨电子显微镜观测复合涂层氧化物层的精细结构,发现纳米级的La2O3颗粒(10~40nm)掺入α-Al2O3氧化物层。La2O3质点通过影响氧化层的显微结构而改变氧化膜生长 相似文献
1