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1.
Anserinones A and B are natural products that have been shown to have potential anticancer, antifungal, and antibacterial properties. This work entails the novel synthesis of these natural products. 相似文献
2.
J. A. Chesshire J. Hughes F. Sutton und A. Sibson 《Fresenius' Journal of Analytical Chemistry》1870,9(1):524-527
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3.
4.
S. B. Ellis S. J. Kiehl W. S. Hughes K. Schwabe W. C. Gardiner H. L. Sanders H. Yoshimura Hanna Jablezynska-Jedrzewska J. Domański W. A. Dorfman P. Nylén Barbara Stone F. Hovorka W. C. Dearing E. Biilmann W. Kordatzki P. Wulff G. Florence A. Drilhon P. Szigeti O. Tomiček F. Poupě O. Redlich W. Stricks 《Analytical and bioanalytical chemistry》1937,111(2-4):94-104
5.
6.
7.
8.
9.
W. E. Garner C. A. Waters H. Lüers C. W. G. Hetterschy Aristides Kanitz F. Liebert A. Uhl W. Kestranek J. M. Kolthoff B. D. Hartong J. Pinkhof E. Biilmann A. Klit F. Haber Z. Klemensiewicz W. S. Hughes A. L. v. Steiger W. E. L. Brown Phyllis M. T. Kerridge Th. Arnd W. Siemers K. H. Goode W. D. Treadwell J. W. Williams Th. A. Whitenack U. Ehrhardt und E. Linde 《Fresenius' Journal of Analytical Chemistry》1930,80(5-6):203-213
Ohne Zusammenfassung 相似文献
10.
Application of amorphous silicon field effect transistors in addressable liquid crystal display panels 总被引:1,自引:0,他引:1
A. J. Snell K. D. Mackenzie W. E. Spear P. G. LeComber A. J. Hughes 《Applied Physics A: Materials Science & Processing》1981,24(4):357-362
It is shown that thin-film field effect transistors (FETs) made from amorphous (a-) silicon deposited by the glow-discharge
technique have considerable potential as switching elements in addressable liquid crystal display panels. The fabrication
of the elements and their characteristics with steady and pulsed applied potentials are discussed in some detail. Two important
points are stressed: (i) a-Si device arrays can be produced by well-established photolithographic techniques, and (ii) satisfactory
operation at applied voltages below 15VV is possible. Small experimental 7×5 transistor panels have been investigated and
it is shown that with the present design up to 250-way multiplexing could be achieved. The reproducibility of FET characteristics
is good and in tests so far no change has been observed after more than 109 switching operations. 相似文献