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Field Emission from Silicon Nanocrystallite Films with Compact Alignment and Uniform Orientation
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Patterned silicon nanocrystallite (SINC) films were fabricated on (100) orientation p-type boron-doped sificon wafer by the hydrogen ion implantation technique and the anodic etching method. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.5V/μm at current density of 0.1μA/cm^2 was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1mA/cm^2 under a bias field of about 9.1V/μm. The experimental results demonstrate that there are great potential applications of the SiNC films for fiat panel displays. A surface treatment with hydrogen plasma was performed on the SiNC films and a significant improvement of emission properties was achieved. 相似文献
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带干扰的Erlang(2)风险模型的不破产概率 总被引:1,自引:0,他引:1
本文讨论了带干扰的Erlang(2)风险模型,通过构造一个延迟更新过程,我们得到了不破产概率满足的积分-微分方程,进而得到了不破产概率的明确表达式. 相似文献
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本文从理论上讨论了自发辐射相干效应 (Spontaneously Generated Coherence, 简记为SGC) 对V型原子中无反转激光 (Lasing Without Inversion, 简记为LWI) 产生条件的影响.在V型原子中,当其上两个能级为简并或近简并能级时 (如Zeeman分裂能级),会出现SGC效应.研究表明,在SGC效应起作用的情况下,无需外加非相干泵浦场或者两上能级间的粒子数的衰减,也能实现LWI.然而,在产生LWI的区域中,SGC效应并非永远对产生LWI作正的贡献,在某些区域SGC项甚至会削弱LWI 的产生.本文给出了产生LWI的条件,并讨论了一类新型的量子相干效应. 相似文献
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在变缓冲层高迁移率晶体管(MM_HEMT)器件中,二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用.通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象,结合变温度的Hall测量,系统研究了不同In组分沟道MM_HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度的变化关系.结果表明,沟道中In组分为0.65的样品,材料电学性能最好,In组分高于0.65的样品,严重的晶格失配将产生位错,引起迁移率下降,大大影响材料和器件的性能.
关键词:
变缓冲层高迁移率晶体管
Shubnikov_de Hass 振荡 相似文献
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由于含时波包方法具有经典的直观又不乏量子力学的准确 ,选择含时波包方法来处理F +CH2 D2 →CH2 D/CHD2 +DF/HF反应 .把半刚性振转子 (SVRT)模型应用到该反应体系中 ,研究了两个通道中该反应从基态反应物开始在修正过的J1(MJ1)势能面上计算出来了反应几率、积分截面、速率常数 .反应几率随能量变化的图的数值结果给出了振荡结构 ,这些振荡结构是可以和动力学振荡联系起来的 .而这些振荡结构在积分截面随着能量变化的图中就被反应几率求和后的平均结果所掩盖了 .速率常数和实验结果的比较也得到了较好的结果 . 相似文献