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Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体器件的硫钝化 总被引:2,自引:0,他引:2
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的表面钝化是一个长期未能完满解决的问题.80年代后期出现的硫钝化技术给钝化研究注入了活力.文章对有关硫钝化技术使Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件性能得到的改善以及所存在的问题进行了综述. 相似文献
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采用同步辐射光电子能谱(SRPES)结合扫描电子显微镜(SEM)和称量法,研究了中性(NH4)2S溶液钝化GaAs(100)表面,并与常规(NH4)2S碱性溶液钝化方法进行了比较- SRPES结果表明该处理方法可以产生较厚的Ga硫化物层和较强的Ga—S键,Ga的硫化物有好的稳定性-称量法表明该方法有更低的腐蚀速率-SEM结果表明该方法钝化处理的GaAs表面所产生的腐蚀坑数目少,直径小-
关键词: 相似文献
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