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本文研究了非易态软磁薄膜Fe_(90-x)Co_xZr_(1O)的平面霍耳电压及磁阻随磁场方向、成分和温度的变化规律。采用通常的六探针法进行了测量。结果表明平面霍耳电压和磁阻分别满足经验公式V,=pM~2Isin 2θ和△ρ=cM~2cos 2θ;并给出了V,表达式中的常数项P正比于P~2。此外,样品Co_(90)Zr_(1O)和样品Fe_(79)Co_(20)Zr_(1O)晶化前后的V_y变化正好相反,即富钴成分的样品晶化后,V_y增加,而富铁成分的样品V_y下降。 相似文献
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一种完整测量磁光克尔效应和法拉第效应的方法 总被引:3,自引:0,他引:3
详细给出了一种测量完整克尔和法拉弟效应的原理和实验装置。该装置简单可靠,安全由计算机控制。利用傅里叶变换方法,实验系统可以在从0.01度至几百度的克尔和法拉第旋转角范围内以及在1.5 ̄6.0eV的光子能量范围内,准确地测量克尔和法拉第旋转角范围内以及在1.5 ̄6.0eV的光子能量范围内,准确地测量克尔和法拉第效应的绝对值。作为实验测量的例子,给出了MnBiAl合金薄膜样品和GaP块状样品的克尔和法 相似文献
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本文着重从磁存储出发讨论了磁光存储,硬磁盘存储的现状和未来发展。沿用传统的驱动器,它们的面存储密度的极限大致在10Gbits/in2的量级,这主要是由存储材料性能和信息存取模式(磁头或光头)的限制。为要进一步提高存储密度,需采取类似近场光学、原子力、磁力和扫描隧道显微镜这样的现代手段来进行信息的存储,但要实现,需要一段较长的时间。在磁存储获得发展的同时,非磁的光存储介质的应用得到了开发,主要是CD-ROM(只读式),CDR(写一次)和PD(相变型)。正是磁和光存储介质在信息存储中的应用,使当今信息技术中一重要领域——信息存储显得生气勃勃。 相似文献
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