锂的卤化物LiX(X=F,Cl,Br,I)的镜像势态

基于局域密度近似的密度泛函理论,运用多体摄动理论的GW近似,计算了碱金属锂的卤族化合物LiF (001)-(1X1)、LiCl (001)-(1X1)、LiBr (001)-(1X1)、LiI (001)-(1X1)表面的准粒子能带结构.GW近似改进了密度泛函理论对于电子交换关联的处理,计算出的带隙与实验值吻合.由GW近似计算得出的LiF、LiCl和LiBr的(001)表面能带具有负亲和能,由于绝缘体表面外真空中电子与绝缘体表面极化电荷的相互作用,在真空中产生了镜像势态.利用GW近似研究了镜像势态波函数沿表面法线方向的分布,并将由GW近似计算得到的镜像势态的单粒子势能与经典的镜像势能进行了比较.但是,从GW近似给出的表面能带结构可看出,LiI(001)表面具有正亲和能,因而不存在镜像势态.     

有限核物质的饱和性质与液气相变

在核物质Hartree-Fock理论框架下,应用SKM^*,SKb和SGⅡ三种Skyrme等效核力参数与带屏蔽的二体库仑势,顾及到核的有限尺度效应,得到了合理的有限核零温饱和性质,发现有限核物质的液气相变临界温度约为12MeV,比无限对称核物质的约低2—3MeV。     

介质中双缺陷电荷对碳纳米管场效应晶体管量子输运特性的影响

用非平衡格林函数理论和紧束缚模型近似计算长沟道弹道输运p型碳纳米管场效应管中电流强度.研究当场效应管介质（SiO₂）中存在两个带电缺陷时，载流子散射所引起的电流强度减小和栅极阈值电压偏移量与缺陷位置的关系.介质中两个缺陷所带电荷Q₁=Q₂=+e（-e为电子电荷），都靠近源极或者都靠近漏极，或者一个电荷靠近源极另一个电荷靠近漏极.在工作状态下，所引起的电流强度相对减小比介质中只存在单个正电荷Q=+e且靠近源极（或漏极）时所引起的电流强度相对减小大得多.如果两个正电荷都在沟道中央附近，随着两个电荷的轴向距离减小，栅极阈值电压偏移的绝对值明显增加.栅极阈值电压偏移可达到-0.35 V.     

CO:LiCl(001)-(1X1)表面电子激发态及其随时演化

采用多体摄动理论研究CO:LiCl(001)-(1X1)表面的激发态性质、CO分子激子态随时演化及其寿命. 首先用局域密度近似的密度泛函理论计算CO分子吸附在LiCl(001)-(1X1)表面的几何结构; 随后运用GW近似研究LiCl块体、LiCl(001)-(1X1)干净表面以及CO:LiCl(001)-(1X1)表面的准粒子能带结构, 引入电子-空穴相互作用, 求解二粒子格林函数的Bethe-Salpeter方程(BS方程), 并得出其电子-空穴激发态及光学吸收谱, 将计算得到的光吸收谱与实验数据进行比较; 最后基于吸附系统CO:LiCl(001)-(1X1)的BS方程的解, 求解含时薛定谔方程得出的分子激发态的随时演化. 因衬底和吸附分子之间的耦合作用, CO分子激子态在随时演化的初始阶段呈现非常快的衰减, 其寿命仅为0.75fs. CO分子激子态的空穴大幅度地向衬底转移, 而激子态的电子仍然滞留在CO分子上.