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以[(bpca)Fe(CN)3]-(bpca=二(2-吡啶羰基)酰胺阴离子)为构筑基元,设计合成了2个新颖的3d-4f异金属配合物,{[(bpca)Fe(CN)3Pr(H2O)5]Cl2}n(1)和{[(bpca)2Fe2(CN)6Pr(H2O)6]Cl·4H2O}n(2),并测定了它们的晶体结构.化合物1的晶体属正交晶系,Pnma空间群;而化合物2属三斜晶系,P1空间群.在这2个化合物中,[(bpca)Fe(CN)3]-和[Pr(H2O)x]3 (1,x=5;2,x=6)交替排列形成一维链状结构,并通过π-π堆积作用、氢键作用及分子间短距离相互作用形成三维网络结构. 相似文献
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多孔硅的制备条件对其光致发光特性的影响 总被引:1,自引:1,他引:1
不同的实验条件下制备的多孔硅的光致发光(PL)特性是不同的,这是许多研究产生分歧的主要原因。对比分析了阳极氧化电流密度、阳极氧化时间、溶液浓度以及自然氧化时间对多孔硅光致发光光谱的影响。认为在一定的范围内,多孔硅的发光峰位会随电流密度的增大而蓝移,要获得较强的发光,需要选择合适的电流密度;随着腐蚀时间的延长,多孔硅的发光峰位也发生蓝移。当HF酸的浓度较小时,峰位随浓度的增大表现为向低能移动;而当HF酸的浓度较大时,峰位随浓度的增大则表现为移向高能。多孔硅在空气中自然氧化,其发光峰位发生蓝移,而发射强度随放置时间的延长而降低。并用量子限制模型和发光中心模型对实验结果进行解释。 相似文献
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多孔硅的光致发光机制 总被引:1,自引:1,他引:1
人们已经提出了许多解释多孔硅发光的理论模型,每个模型都可以针对某些实验现象做出合理的解释,而对其他的实验结果就可能无法解释甚至相悖,因此多孔硅的发光机制至今仍是需要进一步研究和解决的问题。通过改变阳极氧化的条件,制得了一系列样品,其光致发光谱主要有四个峰。随着制备条件的改变,各个峰位的变化不大,但峰值强度比的变化比较大。随着自然氧化时间的延长,各个峰位的变化很小,有红移也有蓝移,有的则基本不变;而峰值强度的减弱幅度较大,但对应于各个峰位幅度的减弱是均衡的。分析实验现象产生的原因,认为多孔硅的发光是多种发光机制共同作用的结果;多孔硅纳米量子线的一定尺寸分布,不仅使光致发光谱存在一定的带宽,而且也是产生多峰现象的原因之一;多孔硅的结构特征对其发光特性起着决定性的作用。 相似文献
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Porous silicon (PS) light-emitting diode (LED) with an ITO/PS/p-Si/Al structure was fabricated by anodic oxidation method. Photoluminescence (PL) of the PS LED was measured with a peak at 593 nm, and electroluminescence (EL) was measured with a peak at 556 nm under the conditions of 7.5-V forward bias and 210-mA current intensity. The spectral width of EL was measured to be about 160 nm. 相似文献
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多孔硅激光染料镶嵌膜的荧光光谱研究 总被引:3,自引:0,他引:3
本文对以多孔硅为载体,镶嵌激光染料形成复合膜的光致发光进行了研究,比较了镶嵌膜与其他不同状态下染料发光的差异,发现镶嵌染料荧光光谱线型较其他状态下明显趋于对称,同时考察了衬底情况的改变对镶嵌膜发光的影响。通过对实验结果的分析指出,这种硅基镶嵌膜中的染料的发光主要来自单体的荧光发射。 相似文献
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合成了4-硝基邻苯二硫酚配体及相应金属镍配合物,(Bu4N)2[Ni(nbdt)2]
(1)和(Bu4N)[Ni(nbdt)2] (2)(nbdt=4-硝基邻苯二硫酚阴离子), 并通过X-射线单晶结构测定、循环伏安、ESR谱、紫外可见吸收光谱和变温磁化率实验对其结构和性质进行了表征。这两个化合物均为略有变形的平面四方型配合物。配合物2是由配合物1通过I2氧化制备。配合物2含有一个未成对电子,磁性研究表明由于分子间的自旋耦合使它表现为反铁磁性。 相似文献