电子储存环中插入元件的非线性束流动力学的Lie代数方法

介绍了用能保证哈密顿系统“辛”性质的Lie映射方法来研究电子储存环中的插入元件对束流动力学的影响.并以此方法对合肥光源中将要安装的波荡器UD?–?1对储存环的影响作了初步的研究     

含羧基聚有机硅氧烷—PEO复合物与LiCF3SO3复合膜的离子传导性

本文研究了含羧基聚有机硅氧烷——PEO复合物与LiCF_3SO_3复合膜的离子传导性能。实验结果表明,利用PEO与含羧基聚有机硅氧烷复合的方法能进一步提高含羧基聚有机硅氧烷—Li~+固体电解质膜的离子传导性。此复合膜在室温下的离子导电率可达10~(-5)S cm~(-1)。本文还研究了复合膜中所用PEO的分子量、PEO用量,LiCF_3SO_3含量、交联剂用量及温度对复合膜离子传导性的影响。     

IONIC CONDUCTIVITY OF METHYLSILOXANE TERMINATED POLYETHYLENE OXIDE WITH LITHIUM PERCHLORATE NETWORK FILMS

Complex films of crosslinked poly(methylsiloxane-co-ethylene oxide) and lithium perchlorate were prepared. These solid state polymeric electrolytes show a markedly higher ionic conductivity, and excellent flexibility. The ionic conductivity of the network films closed to 10~(-5) Scm~(-1) at room temperature. The effects of Li~+ content, species and contents of crosslinking agents, molecular weight of poly(ethylene oxide) and temperature on the ionic conductivity of the network films were also investigated.     

电化学制备二维“花状”Pt纳米结构及其对甲醇的电催化氧化

采用恒电流电化学技术在玻碳基底上制得二维"花状"Pt纳米结构(2D FPNs)样品,所用的电解液为HAuCl4+HClO4溶液,无需添加任何表面结构诱导的有机试剂,Pt纳米结构表面更"洁净",有较高的反应活性.扫描电子显微镜测试显示,2D FPNs样品是由球状纳米花构成,纳米叶子是构筑纳米花的最小单元.通过控制电沉积时间可调控球状Pt纳米花数的密度.高倍透射电子显微镜测试表明每个叶状纳米片沿着Pt(111)晶面定向生长.甲醇电催化氧化活性与电沉积时间有关.2D FPNs电极的甲醇的电催化活性稍高于商业Pt/C电极,却有更好的抗毒化能力,这可能归因于其特定的暴露晶面及表面的"洁净性".     

迭代Suzuki偶联反应合成全氟环丁基芳基醚齐聚物的研究

对迭代Suzuki偶联反应合成全氟环丁基芳基醚齐聚物的方法进行了研究, 并合成了全氟环丁基芳基醚齐聚物. 首先从对溴苯酚出发, 合成了含有一个全氟环丁基芳基醚结构单元的中间体3. 芳基硼酸与中间体3进行Suzuki偶联反应, 得到了含有一个全氟环丁基芳基醚结构单元的硼酸. 重复与中间体3进行Suzuki偶联反应, 从而合成了全氟环丁基芳基醚二聚体和三聚体. 最后通过热环化二聚反应合成了全氟环丁基芳基醚三聚体、五聚体和七聚体.     

γ-二氧化锰/K3[Fe(CN)6]溶液界面的电子转移反转区

Marcus电子转移理论的主要成果之一是预言了电子转移反应反转区的存在.从实验上 验证Marcus反转区仍是一个热点问题.通过对γ-MnO2/K3[Fe(CN)6]溶液界面平带电位、极 化曲线的测量,计算了在极化条件下,γ-MnO2导带的电子直接转移到溶液中氧化态物种[F e(CN)6]3-空电子能级上的速率常数ket,logket对外加电位作图,观察到了Marcus反转区. 从理论上也论证了在半导体/溶液界面上的直接电子转移反转区的存在.     

构建化学实验教学新体系,培养创新创业人才

基于创新创业型人才培养的需要,针对当前化学化工专业大学生实验教学中的能力培养问题,通过实验教学内容与科学研究和生产应用互动,构建了化学实验教学新体系,将训练实验技能、训练知识转移能力、训练创新创业意识等环节相互融合、相互支撑,从课内延伸到课外,做到大学四年创新创业训练不断线,并在本科生的实验教学过程中进行了实施,取得了良好的教学效果。     

HLS储存环束流发射度研究

 研究了合肥光源(HLS)储存环束流发射度与其长直线节消色散条件之间的关系；在考虑到H函数的匹配时，计算了储存环最低束流发射度；为光源多种运行模式提供了理论依据。     

储存环高频剔除系统

 介绍了用于电子储存环部分填充和非均匀填充的一种实验装置,它利用储存环中电子运动所具有的横向自由振荡和束团脉冲的时间结构这一特性,采用外加激励的方法使其产生共振,从而使得储存环中部分束团中的电子丢失,形成储存环的部分填充和非均匀填充。还扼要介绍了用高频剔除系统在储存环上实现不同填充方式时的束流积累结果。     

合肥光源储存环上八极磁铁的动力学效应分析

 为达到合肥光源二期工程通用模式的设计流强，在储存环上选择垂直方向β函数比较大的位置增加一组八极磁铁。该组八极磁铁对水平方向动力学孔径影响很小，虽然垂直方向动力学孔径明显减小，但仍然大于物理孔径，不会影响束流的注入积累过程。该组八极磁铁产生的垂直方向振荡频率分散可以提供ms量级的Landau阻尼时间，将明显增强抑制垂直方向束流集体不稳定性的能力。该组八极磁铁投入运行后，合肥光源注入积累过程明显改善，注入流强从无八极磁铁时的约100 mA提高到330 mA左右。