四元缔合物体系薄层树脂相分离与光度法联用测定痕量钴

提出了在酸性条件下 (pH=5.0),利用阳离子交换树脂-丁二酮肟-碘-钴四元体系,通过薄层树脂相光度法测定钴的新方法。本法灵敏度高 (e454=1.7105L/molcm),比水相光度法提高14倍,精密度理想 (测定2.0礸/ml Co(II) 6次,RSD=1.3%),选择性好。实测药品VB12及天然水中钴,线性范围0.024~2.0礸/ml (定容50ml),检出限10.4ng/ml。     

固体酸催化酯化的研究─—对苯二甲酸辛酯的合成

用半经验方法ＣＮＤＯ／２计算了对苯二甲酸等羧酸分子的结构，讨论了对苯二甲酸分子的结构特点，探讨了以Ｎａ＿２ＳＯ＿４－Ａｌ＿２Ｏ＿３体系催化对苯二甲酸辛酯的合成。     

火焰原子吸收光谱法研究五种螯合剂对染镉小鼠睾丸中镉钙铁锌浓度的影响

采用火焰原子吸收光谱法分别对染镉小鼠和N-对羟甲苯甲基-D-葡糖二硫代氨基甲酸钠(HBGD)、N-苯甲基-D-葡糖二硫代氨基甲酸钠(BGD)、二乙基二硫代氨基甲酸钠(DDTC)、二巯基丙醇(BAL)、乙二胺四乙酸(EDTA)等五种螯合剂治疗组小鼠睾丸中镉、钙、铁、锌等金属浓度进行了测定和研究.结果表明:镉染毒(Cd 2.5 mg·kg-1,腹腔注射)后,小鼠睾丸中镉、钙、铁、锌等金属浓度显著高于对照组(p＜0.05),染镉30 min后用各螯合剂治疗(0.400 mmol·kg-1,腹腔注射),24 h后除EDTA外,其余螯合剂能明显降低睾丸中镉的浓度并抑制钙、铁、锌浓度的增加(p＜0.05);染镉24 h后注射各螯合剂,治疗24 h后,HBGD、BGD和DDTC显著降低了小鼠睾丸中各金属浓度(p＜0.05);提示HBGD和BGD有望成为染镉中毒的理想解毒剂.     

镜面Heisenberg-Virasoro代数的导子代数和自同构群

本文研究镜面Heisenberg-Virasoro代数的导子代数和自同构群,确定该代数的外导子和系数在它自身的一阶上同调群.     

3 GPa熔融盐固体介质三轴高温压力容器的轴压摩擦力标定

 在温度标定和围压标定的基础上,采用轴压循环方法,对3 GPa固体介质三轴高温高压实验系统的轴压摩擦力进行了标定,分析了围压、温度、轴向位移速率、装样方式（盐套类型）等实验条件对轴压摩擦力的影响。结果表明：静摩擦力、挤压摩擦力和滑动摩擦力3种轴压摩擦力对轴向应力的影响不同,其中静摩擦力和挤压摩擦力对轴向应力的影响很小,影响应力精度的主要是滑动摩擦力。静摩擦力及滑动摩擦力与围压正相关;静摩擦力与轴向位移速率正相关,但受其影响较小,滑动摩擦力不受其影响;静摩擦力和滑动摩擦力与温度负相关,并且受其影响较显著;盐套类型对轴压摩擦力的影响较大,当实验条件接近盐套熔点时,轴压摩擦力显著降低,当样品周围的盐套处于熔融状态时,轴压摩擦力最小。基于此,确定了标定轴压摩擦力的具体步骤,并对角闪岩的应力-应变曲线进行了轴压摩擦力标定。对比轴压摩擦力校正前、后的应力-应变曲线发现,经过轴压摩擦力校正的应力-应变曲线能更好地反映样品的实际变形情况。     

表面分子印迹技术在分析化学中的应用研究进展

表面分子印迹聚合物因其高效的靶向识别能力、丰富的活性结合位点和优越的吸附/解吸附动力学性能,日益受到分离和分析化学领域研究者的广泛关注。本文系统介绍表面印迹技术的概况,如机理、分类、特点等,重点综述了表面印迹技术在环境分析、食品分析、生物分析和医药分析等领域的研究运用现状,并对表面印迹技术潜在的研究方向和应用前景进行了展望。     

层状、花形和棒状钛酸铋纳米结构的可控合成及光催化性能

通过可控水热法,制备出层状、花形和棒状钛酸铋(Bi4Ti3O12,BIT)纳米结构。通过X射线衍射(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FESEM)观测其结构和形貌特征。XRD图显示,所制备的样品为层状钙钛矿结构。FESEM结果表明,通过控制水热过程的反应参数可以得到不同形貌的纳米粉体。紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)表明BIT样品的带隙能约为2.63～2.95 eV。利用可见光(λ>420 nm)照射下的甲基橙降解实验评价了BIT样品的光催化性能。结果表明,BIT的光催化活性比掺氮TiO2(N-TiO2)高得多。所制备的层状BIT纳米结构光催化效率最高,经可见光照射360 min,甲基橙溶液的降解率可达95.0%。同时还研究了结构和形貌对不同条件下制备的BIT样品光催化活性的影响。     

双δ掺杂In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究

研究了基于InP基的In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料中纵向磁电阻的Shubnikov-deHaas(SdH)振荡效应和霍耳效应,通过对纵向磁电阻SdH振荡的快速傅里叶变换分析,获得了各子带电子的浓度,并因此求得了各子带能级相对于费米能级的位置.联立求解Schrdinger方程和Poisson方程,自洽计算了样品的导带形状、载流子浓度分布以及各子带能级和费米能级位置.理论计算和实验结果很好符合.实验和理论计算均表明,势垒层的掺杂电子几乎全部转移到了量子阱中,转移率在95%以上.     

HgMnTe磁性二维电子气自旋-轨道和交换相互作用研究

通过分析不同温度下HgMnTe磁性二维电子气Shubnikov-de Hass（SdH）振荡的拍频现象，研究了量子阱中电子自旋 轨道相互作用和spd交换相互作用.结果表明：（1）在零磁场下，电子的自旋 轨道相互作用导致电子发生零场自旋分裂；（2）在弱磁场下，电子的自旋-轨道相互作用占主导地位，并受Landau分裂和Zeeman分裂的影响，电子的自旋分裂随磁场增加而减小；（3）在高磁场下，电子的spd交换相互作用达到饱和，电子的自旋分裂主要表现为Zeeman分裂.实验证明了当电子的Zeeman分裂能量与零场 关键词： 磁性二维电子气 Zeeman分裂 Rashba自旋分裂     

Field Emission from Silicon Nanocrystallite Films with Compact Alignment and Uniform Orientation

Patterned silicon nanocrystallite (SINC) films were fabricated on (100) orientation p-type boron-doped sificon wafer by the hydrogen ion implantation technique and the anodic etching method. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.5V/μm at current density of 0.1μA/cm^2 was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1mA/cm^2 under a bias field of about 9.1V/μm. The experimental results demonstrate that there are great potential applications of the SiNC films for fiat panel displays. A surface treatment with hydrogen plasma was performed on the SiNC films and a significant improvement of emission properties was achieved.