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利用等离子体增强原子层沉积系统,使用氮等离子体对Te掺杂GaSb的表面进行刻蚀,改善样品的发光特性.在室温下(300K),发光强度提高了4倍.在低温光谱测试中,发现了由Te掺杂导致的TeSb施主缺陷相关的发光峰,峰位位置在0.743eV处;此外,带边发光峰位随温度变化从0.796eV移动到0.723eV.对比室温和低温光谱,发现当N等离子体刻蚀功率为100 W时,Te掺杂GaSb的最佳刻蚀周期是200周期;并且氮钝化没有改变Te掺杂GaSb的发光机制,只是提高了样品的辐射复合效率. 相似文献
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