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1.
2.
This paper describes the method of synchronizing slave to the master trajectory using an intermittent state observer by constructing a synchronizer which drives the response system globally tracing the driving system asymptotically. It has been shown from the theory of synchronization error-analysis that a satisfactory result of chaos synchronization is expected under an appropriate intermittent period and state observer. Compared with continuous control method, the proposed intermittent method can target the desired orbit more efficiently. The application of the method is demonstrated on the hyperchaotic R?ssler systems. Numerical simulations show that the length of the synchronization interval τ_s is of crucial importance for our scheme, and the method is robust with respect to parameter mismatch. 相似文献
3.
用磁控溅射方法制各纯Fe薄膜,并硫化合成FeS2. 采用同步辐射X射线近边吸收谱与X射线光电子能谱研究了薄膜的电子结构. 结果表明,合成的FeS2薄膜,在费米能级附近,有较强的Fe 3d态密度存在,同时,在价带谱中2—10eV处有强度较大的S 3p态密度存在;Fe的3d轨道在八面体配位场作用下分别为t2g和eg轨道,实验中由Fe的吸收谱计算得到两分裂能级之差为2.1eV;实验测得FeS2价带结构中导带宽度约为2.4eV,导带上方仍存在第二能隙,其宽度约为2.8eV.
关键词:
磁控溅射
二硫化铁
X射线吸收近边结构
电子结构 相似文献
4.
研究了K3C60单晶薄膜在200K附近的导带结构.样品温度为190K时,同步辐射角分辨光电子谱能够观察到[111]方向有规律的能带色散.而在220K附近色散不存在.这一实验结果与K3C60在200K存在取向相变相符合.用反铁磁Ising模型对实验结果进行了分析.结果表明,K3C60在200K的相变是由低温下的一维无序取向结构转变为200K以上的双取向结构畴与无序分子(约占40
关键词:
3C60')" href="#">K3C60
取向相变机理 相似文献
5.
用磁控溅射方法制各纯Fe薄膜,并硫化合成FeS2.采用同步辐射X射线近边吸收谱与X射线光电子能谱研究了薄膜的电子结构.结果表明,合成的FeS2薄膜,在费米能级附近,有较强的Fe 3d态密度存在,同时,在价带谱中2-10eV处有强度较大的S 3p态密度存在;Fe的3d轨道在八面体配位场作用下分别为t2g和eg轨道,实验中由Fe的吸收谱计算得到两分裂能级之差为2.1eV;实验测得FeS2价带结构中导带宽度约为2.4eV,导带上方仍存在第二能隙,其宽度约为2.8eV. 相似文献
6.
本文报道利用高 T_c 超导-介质谐振器测量 YBa_2Cu_3O(7-x)表面阻抗随温度的变化.谐振器由蓝宝石管两端加载 YBCO 超导片组成.测量表明,当温度渐降低于80K 时,样品的表面电阻 R_s 迅速下跌;但在低的相对温度下(如t=0.2=T/T_c),样品的 R_s 仍较大,与 BCS 理论预计相去甚远.文中还提出决定λ_L(t)的一种新方法,并从我们的实测数据导出最佳拟合曲线满足λ_L(t)=λ_L(0)(1-t~2)~(-1/2). 相似文献
7.
Focusing Properties of Fractal Zone Plates with Variable Lacunarity:Experimental Studies Based on Liquid Crystal on Silicon 下载免费PDF全文
The focusing properties of fractal zone plates (FZPs) with different structure parameters are studied experimentally. The axial irradiance of FZPs is deduced at n=4. The experimental results are in good agreement with the theoretical prediction. A method to fabricate FZPs with variable structure parameters is mentioned, and the liquid-crystal-on-silicon device is used to implement this experiment. The experimental results indicate that the focal depth of lower order FZPs is larger than that of higher order FZPs. 相似文献
8.
9.
10.