首页
|
本学科首页
官方微博
|
高级检索
文章检索
按
中文标题
英文标题
中文关键词
英文关键词
中文摘要
英文摘要
作者中文名
作者英文名
单位中文名
单位英文名
基金中文名
基金英文名
杂志中文名
杂志英文名
栏目英文名
栏目英文名
DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
检索
检索词:
出版年份:
从
到
被引次数:
从
到
他引次数:
从
到
提示:输入*表示无穷大
全文获取类型
收费全文
1篇
免费
0篇
专业分类
物理学
1篇
出版年
1986年
1篇
排序方式:
出版年(降序)
出版年(升序)
被引次数(降序)
被引次数(升序)
更新时间(降序)
更新时间(升序)
杂志中文名(升序)
杂志中文名(降序)
杂志英文名(升序)
杂志英文名(降序)
作者中文名(升序)
作者中文名(降序)
作者英文名(升序)
作者英文名(降序)
相关性
共有1条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1
1.
硒化锌晶体背景深能级的光电容谱
杨锡震
潘维
喀蔚波
刘玉梁
范希武
《发光学报》
1986,7(2):193-199
对用国产硒化锌(ZnSe)晶体制成的Au-ZnSe肖特基势垒进行了光电容测量。光子能量hv在0.57~0.61eV范围内的激发光引起单指数型电容瞬变过程。
hv
在0.67~1.0eV范围内的激发光引起的电容瞬变过程呈现双指数行为。回归分析结果表明样品中存在六个深能级,分别位于导带下方0.55,0.66,0.92,1.19,1.38和1.S2eV处。
相似文献
1
设为首页
|
免责声明
|
关于勤云
|
加入收藏
Copyright
©
北京勤云科技发展有限公司
京ICP备09084417号