真空紫外光激发下掺Pr3+铝酸盐的自陷激子对Pr3+发光的影响

研究了SrAl12 O19:Pr3+和Y3Al5O12(YAG):Pr3+在20K,77K和300K的真空紫外(VUV)光谱,二者除了表现出Pr3+特有的发射性质外,还产生了一种特殊的发射现象,即自陷激子(STE)发射,并且其随着稀土离子浓度和温度的降低而增强.还着重讨论了自陷激子对Pr3+发光的影响.     

表面高分辨弹性反冲探测分析

在中国原子能科学研究院 HI- 1 3串列加速器上建立了用 Q3D磁谱仪动量分析和ΔE- E粒子分辨对材料表面进行高分辨的弹性反冲探测分析技术 .用 1 0 0 Me V12 7I对 C/Li F多层样品的深度分布分析表明 ,表面分辨达到 1 .2 nm.所建立的ΔE(气体 ) - E(半导体 )望远镜探测器可同时分析从轻至中重的所有元素 .实测了新光电材料 Ga N,La2 Sr Cu O4 超导膜和新超硬材料 C3N4 (Si)等样品. High resolution depth profiling technique with elastic recoil detection analysis has been developed at the HI 13 tandem accelerator of CIAE. A depth resolution of 1.2 nm was achieved at the surface of the samples with the Q3D magnetic spectrometer and the focal plane detector. From light to medium heavy elements were simultaneous analyzed with a small Δ E E telescope. The method was applied to depth profile analysis of C/LiF multilayers, La 2SrCuO 4 superconductor and GaN foil samples.     

一种高精度保界的守恒重映方法

Lagrange方法中，当流场发生大变形时，跟踪流体运动的Lagrange网格发生扭曲，使计算无法进行下去，此时必须重分网格，把网格修复成较好的形状。另外，网格自适应技术中的重构、合并与加密，以及同一问题不同程序相继计算的连接，并行计算中相邻块边界区域的数据传递等，这些情况都需要利用旧网格上的物理量来确定新网格上的物理量，是一个物理量重映过程。质点重映方法是基于物理上守恒规律的一种离散的物理量守恒映射方法，既可实现分片常数分布的一阶精度重映计算，又可实现分片线性分布的二阶精度重映计算。这种方法可严格保证守恒量的守恒性，且可以实现任意多边形网格以及节点上物理量的守恒重映。但是，基于分片线性分布的二阶精度重映方法，如果新网格的守恒量没有进行保界调整，那么相应的强度量有可能在其局部的限制范围之外，破坏了原网格物理量的单调性。因而，对二阶精度的质点重映方法进行了进一步研究。在分片线性分布的基础上，将基于结构网格的保界算法扩展到非结构网格上，给出了二阶保界的质点守恒重映方法。     

有限球中14MeV中子点源问题的数值模拟

点源问题的物理实验与数值计算是研究反应堆防护和辐射效应,考查中子参数和计算方法的重要手段。本工作解决了有限元节点上的加源问题,并对几个典型的14MeV中子点源问题的物理实验,用双向间断有限元法进行了数值模拟,并和其它方法的计算结果及物理实验的测量结果进行了比较,取得了较为满意的结果。     

C+注入a-SiNx：H薄膜的微结构及光发射的研究

常温下对低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiN_x:H薄膜进行低能量高剂量的C⁺注入后,在800~1200℃高温进行常规退火处理。X射线光电子能谱(XPS)及X射线光电子衍射(XRD)等实验结果表明,当退火温度由800℃升高到1200℃后,薄膜部分结构由SiC_xN_y转变成SiN_x和SiC的混合结构。低温下利用真空紫外光激发,获得分别来自于SiN_x、SiC_xN_y、SiC的,位于2.95,2.58,2.29 eV的光致发光光谱。随着退火温度的升高,薄膜的结构发生了变化,发光光谱也有相应的改变。     

金纳米粒子的二维组装与表面增强拉曼散射研究

金纳米粒子的二维组装与表面增强拉曼散射研究朱涛王健符小艺张续刘忠范（北京大学化学与分子工程学院智能材料研究中心北京１００８７１）Ｔｗｏ┐ＤｉｍｅｎｓｉｏｎａｌＧｏｌｄＮａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅＡｓｅｍｂｌｉｅｓａｓＡｃｔｉｖｅＳｕｂｓｔｒａｔｅｓｆｏ...     

Zn1-xCoxO稀磁半导体薄膜的结构及其磁性研究

利用X射线吸收精细结构、X射线衍射和磁性测量等技术研究脉冲激光气相沉积法制备的Zn1-zCoxO(x=0.01,0.02)稀磁半导体薄膜的结构和磁性.磁性测量结果表明Zn1-xCoxO样品都具有室温铁磁性.X射线衍射结果显示其薄膜样品具有结晶良好的纤锌矿结构.荧光X射线吸收精细结构测试结果表明,脉冲激光气相沉积法制备的样品中的Co离子全部进入ZnO晶格中替代了部分Zn的格点位置,生成单一相的Zn1-xCoxO稀磁半导体.通过对X射线吸收近边结构谱的分析,确定Zn1-xCoxO薄膜中存在O空位,表明Co离子与O空位的相互作用是诱导Zn1-xCoxO产生室温铁磁性的主要原因.     

V掺杂二维MoS_2体系气体吸附性能的第一性原理研究

以芥子气和沙林为代表的毒剂具有毒性强、扩散快的特点,是一类杀伤力强、难以防护的化学战剂,对其快速高效检测是一项具有挑战性的课题.本文基于第一性原理计算方法研究了V掺杂对二维MoS_2气敏性能影响的机理,发现V原子向二维MoS_2的掺杂过程为自发的放热反应, V原子可以稳定掺杂于二维MoS_2超胞结构中的S空位上.掺杂进入二维MoS_2体系的V原子作为施主中心向周围Mo原子给出电子,从而提高了材料的导电能力.吸附能、吸附距离和吸附过程中的电子转移计算结果表明V的掺杂提高了二维MoS_2对气体分子的吸附能力,增强了吸附质分子与基底表面的电子相互作用,从而提高了二维MoS_2的气敏性能.     

环Z/p~kZ上的两类矩阵方程

利用环上矩阵方法,研究了环Z/pkZ上的两类矩阵方程,确定了这两类矩阵方程的解数.     

Au/Au同质结的高压水热合成及其光学性能研究

本文通过水热法合成了Au和Au/Au同质结纳米粒子,并用透射电子显微镜(TEM)和紫外可见吸收(UV-vis)光谱对所合成的单分散Au纳米粒子和Au/Au同质结纳米粒子进行了表征。我们的研究发现,十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)在Au/Au同质结纳米粒子的合成中起着非常重要的作用,改变CTAB的加入量,Au纳米粒子由单分散Au纳米粒子变成Au/Au同质结纳米粒子。