关于制造光点反射式直流电流计的意见

在鼓足干劲、力爭上游、多快好省地建設社会主义这一总路綫的照耀下,各种新产品已细雨后春筍地出現,全国各地将星罗棋布地出現各种各样的工厂、企业和学校。这些工厂、企业和学校将要求国家市場供应各种各样的机器和仪器。它們究竟应該购置什么型式的机器和仪器,生产仪器、机器的单位应該首先生产什么型式的机器和仪器,这是很值得研究的問題。本文愿就实驗室用光点反射式直流电流計的制造工作,提出若干意見。与实驗室工作者及有关单位共同討論。光点反射式直流电流計在电学、磁学实驗中有各种不同的用途,     

白光光源光谱对白光干涉信号的影响

传统白光光源一般由一个纯高斯函数来进行模拟,通过改变中心波长和带宽来调节干涉信号.本文分别利用高斯模型和洛伦兹模型来讨论白光干涉信号,得出中心波长与相干长度的比值越大,零级条纹可见性越高,以及高斯模型的可靠范围.鉴于现代白光光源与传统光源不同,以发光二极管(LED)为例,模拟研究现代白光光源对白光干涉信号的影响.利用洛伦兹模型模拟白色LED光源时干涉信号存在凹陷,通过合理调整LED拟合光峰值间的距离降低凹陷对零级条纹的影响,以期得到在实际应用中干涉特性较优的白光光源光谱.     

碳量子点修饰对有机-无机杂化钙钛矿阻变性能的影响

通过在前驱体中添加碳量子点（CQD）,制备了具有不同晶粒尺寸的有机-无机杂化钙钛矿CH3NH3PbI3(MAPbI3)薄膜,并以金（Au）和氟掺氧化锡（FTO）为电极制备了具有Au/CQD-MAPbI3/FTO结构的阻变器件．测试了CQD掺杂浓度对器件阻变性能的影响,并分析了其物理机制．结果表明：通过优化CQD掺杂质量浓度可以提升器件开关比,降低器件运行电压的波动．基于导电通道模型,器件阻变性能提升的可能原因为晶界主导的碘离子迁移随机性降低,导电通道结构简化．     

加速溶剂萃取-固相萃取净化-气相色谱-串联质谱法检测茶叶中9种拟除虫菊酯类农药残留

建立了加速溶剂萃取（ASE）-固相萃取净化（SPE）-气相色谱-串联质谱（GC-MS/MS）同时测定茶叶中9种拟除虫菊酯类农药残留的方法。ASE萃取溶剂为丙酮-正己烷（1：1,v/v）,萃取温度为100℃,萃取压力为10 MPa,加热时间为3 min,静态萃取时间为5 min,循环1次,冲洗体积为40%萃取池体积,氮气吹扫100 s。萃取结束后用Cleanert TPT固相萃取柱净化,净化液浓缩定容后,采用GC-MS/MS测定,外标法定量。9种拟除虫菊酯类农药在2~1000 μg/L范围内呈现良好的线性关系,相关系数（r²）均大于0.99,方法检出限为0.2~4.5 μg/kg,定量限为0.8~15.0 μg/kg。在绿茶、红茶空白基质中做加标回收试验,添加水平为0.02、0.1、0.4 mg/kg以及定量限水平,得到的平均回收率为69.87%~110.0%,相对标准偏差（RSD）为0.7%~11.2%。该方法背景干扰低、灵敏度高、重现性好、回收率稳定,适用于茶叶中拟除虫菊酯类农药残留量的检测。     

辉光放电光谱法分析掺杂纳米硅薄膜的研究

介绍了利用辉光放电光谱法分析掺杂纳米硅薄膜,通过优化辉光光源激发参数、计算标准样品的溅射率,建立了掺杂纳米硅薄膜的定量表面分析方法。方法应用于实际掺杂纳米硅薄膜样品的分析,并将分析深度、剖析结果与表面形貌仪的结果进行了对照。试验结果表明,分析方法快速、准确,具有实际应用价值。     

多态系统部件维修成本评估分析

多态系统是可靠性理论中的一种重要系统,是指部件和系统具有多个状态。随着部件的劣化,系统的性能随之下降。为了提高系统的性能,部件需要进行一定的维修。本文考虑部件状态转移率与停留时间的关系,利用重要度理论来分析部件维修成本的变化规律,得出对系统维修成本影响最大的部件。首先,基于维修成本的函数关系,给出了重要度的表达式;其次,针对典型串联系统和并联系统,随着时间推移,给出维修成本的变化规律;最后算例仿真验证了提出方法的有效性和正确性。     

基于马尔科夫过程的储备系统稳态性能分析

由于储备系统组成部件在存储期间的失效概率各不相同,当部件状态趋于稳定时,各个状态对系统性能的影响也存在差异。为了识别关键部件及其状态对系统性能的影响程度,本文以重要度为主要指标,应用马尔科夫过程研究储备系统在稳态时的性能变化模式。首先基于综合重要度研究系统性能的变化规律,并结合冷储备系统和温储备系统的状态转移矩阵推导出马尔科夫过程中稳态值的计算方法;其次基于稳态综合重要度获得系统稳态时的性能变化模式;最后以双臂机器人为例,分析部件处于不同状态时对系统性能的影响模式,比较了不同部件综合重要度的变化,验证了提出方法的有效性。     

Max—min神经网络的一种有效学习算法

本文在Ａ．Ｂｌａｎｃｏ等人的算法的基础上，提出了ｍａｘ－ｍｉｎ神经网络的一种改进了的反馈学习算法，严格证明了该算法的迭代收敛性，理论分析及实例计算结果均表明，本文算法具有算法简单，收敛速度快，输出误差小等显著特点。     

Superconductivity and unconventional density waves in vanadium-based kagome materials AV3Sb5

Recently, the discovery of vanadium-based kagome metal AV₃Sb₅ (A= K, Rb, Cs) has attracted great interest in the field of superconductivity due to the coexistence of superconductivity, non-trivial surface state and multiple density waves. In this topical review, we present recent works of superconductivity and unconventional density waves in vanadium-based kagome materials AV₃Sb₅. We start with the unconventional charge density waves, which are thought to correlate to the time-reversal symmetry-breaking orders and the unconventional anomalous Hall effects in AV₃Sb₅. Then we discuss the superconductivity and the topological band structure. Next, we review the competition between the superconductivity and charge density waves under different conditions of pressure, chemical doping, thickness, and strains. Finally, the experimental evidence of pseudogap pair density wave is discussed.     

Robustness of the unidirectional stripe order in the kagome superconductor CsV3Sb5

V-based kagome materials AV₃Sb₅ (A=K, Rb, Cs) have attracted much attention due to their novel properties such as unconventional superconductivity, giant anomalous Hall effect, charge density wave (CDW) and pair density wave. Except for the 2a₀×2a₀ CDW (charge density wave with in-plane 2×2 superlattice modulation) in AV₃Sb₅, an additional 1×4 (4a₀) unidirectional stripe order has been observed at the Sb surface of RbV₃Sb₅ and CsV₃Sb₅. However, the stability and electronic nature of the 4a₀ stripe order remain controversial and unclear. Here, by using low-temperature scanning tunneling microscopy/spectroscopy (STM/S), we systematically study the 4a₀ stripe order on the Sb-terminated surface of CsV₃Sb₅. We find that the 4a₀ stripe order is visible in a large energy range. The STM images with positive and negative bias show contrast inversion, which is the hallmark for the Peierls-type CDW. In addition, below the critical temperature about 60 K, the 4a₀ stripe order keeps unaffected against the topmost Cs atoms, point defects, step edges and magnetic field up to 8 T. Our results provide experimental evidences on the existence of unidirectional CDW in CsV₃Sb₅.