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1.
Multi-dimple phenomena in TEHL point contacts 总被引:3,自引:0,他引:3
Theoretical analysis and experimental measurement of the multiple dimples in thermal elastohydrodynamic lubrication (TEHL) point contacts have been carried out. Good agreement is found between the theoretical and experimental results. A thermal multi-spike theory is proposed to explain the multi-dimple phenomena. 相似文献
2.
研究了弹流反常温度场的形成机理及影响因素,指出入口温升是压缩功发热和逆流剪切热所致,而出口局部低温是负压缩功吸热的结果,出口温度的再次微幅上升则是压缩功消失后剪切热作用的结果.研究结果表明,入口温升随载荷的增加而增大,随卷吸速度的增加显著升高而几乎与滑滚比无关;在高速小滑滚比工况下,接触区的最高温度有可能出现在入口位置;入口温升增加了材料在工作中经受高温的次数,对其接触疲劳寿命有不利影响;在保证润滑性能的前提下,适当减少供油量可以减小逆流,从而降低入口温升。 相似文献
3.
4.
5.
6.
超导电子器件是一种低温电子器件,它是基干约瑟夫森(Josephson)效应而研制成功的一种新型电子器件.它的基本结构如图1中的插图那样,是一个具有三层结构的二端器件,其中S1和S2是两块超导体。中间由一薄层绝缘体隔开,这层绝缘体的厚度只有几nm. 一、超导电子器件的特性 1.它的直流 I-V 曲线如图1中的曲a 所示.如果逐渐增大通过此二端器件的电流,那么在开始时,器件两端电压为零;当通过的电流达到Ic时,电压从零跳到Vg;当电流继续增大时,电压沿着一条二次曲线上升.如果在此二端器件上加一个直流磁场,则 Ie会减小;当磁场从零增加到某个值Hl时… 相似文献
7.
朱沛然 《原子与分子物理学报》1986,(1)
研究了在944.19cm~(-4)的红外激光场中SiH_4—GeH_4混合体系的光分解。生成产物是H_2,Si_2H_6,SiH_3GeH_8 少量Si_3H_8和固体粉末聚合物。没有检测到Ge_2H_6。测量了反应物的分解速率和产物的每脉冲产额。阐述了混合体系的反应机理。 相似文献
8.
9.
10.
用卢瑟福背散射/沟道技术研究了1MeVSi ̄+在衬底加温和室温下以不同剂量注入Al_(0.3)G_(0.7)As/GaAs超晶格和GaAs后的晶格损伤。在衬底加温下,观察到Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs超晶格和GaAs都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围,以及两种速率失去平衡的临界剂量。超晶格比GaAs更难以损伤,并且它的两种速率失去平衡的临界剂量也大于GaAs中的相应临界剂量,用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系。用CNDO/2量子化学方法计算了GaAs和Al_xGa_(1-x)As中化学键的相对强度,并根据计算结果解释了注入过程中Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs超晶格和GaAs中晶格损伤程度的差别。 相似文献