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报道了在兰州重离子加速器国家实验室电子回旋共振离子源原子物理实验平台上,用高电荷态40Arq+(1≤q≤12)离子作用于半导体Si固体表面时的电子发射产额实验测量.实验中,通过改变炮弹离子的电荷态和引出电压选取其不同的势能和动能,系统地研究了入射离子势能沉积和与其在固体中的电子能损对表面电子发射产额的贡献.结果表明,作为引起表面电子发射的两个主要因素,单离子的电子发射产额与炮弹离子在固体表面的势能沉积和电子能损都有近似的正比关系. 相似文献
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采用Dirac Brueckner-Hartree-Fock理论方法, 计算了零温核物质中每核子的结合能、压强和单核子能量, 着重讨论了不同的T矩阵协变表示对核物质中Hugenholtz-Van Hove(HVH)定理满足程度的影响. 结果表明: 不同的协变表示对核子自能各分量的动量相关性和密度依赖性均有重要影响, 进而对核介质中HVH定理的满足程度产生重要影响. 在完全的膺矢量表示下, HVH定理遭到了相当大程度的破坏, 从而体现出基态关联效应对单核子性质的重要性, 并与非相对论BHF理论方法得到的结论一致, 因而完全的膺矢量表示要优于膺标量表示. 相似文献
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The mutual interaction of three different defects in photonic crystals is studied theoretically. A theoretical model based on the classical wave analogue of the tight-binding (TB) picture is applied to the structure. We obtain analytic expressions for the eigenfrequencies and eigenmodes, from which the transmissions at resonance are derived. Based on this, a new type of the photonic quantum-well structure is investigated and its possible application is discussed. The TB predictions are compared with the transfer matrix method simulation results. 相似文献
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用速度不同的(动能EK=272和357keV,速度v=1.14×106和1.72×106m/s)的高电荷态离子40Ar17+分别入射金属Be表面,同时测量这种相互作用过程中产生的近红外光谱线和X射线谱。实验结果表明,在低速范围内(速度小于玻尔速度vBohr=2.19×106m/s),速度较小的40Ar17+离子在到达金属的表面临界距离Rc到进入表面(2—3原子层)的进程中,形成了较多的高激发态Ar原子,其退激辐射较强的光谱线,进而验证了经典过垒模型。 相似文献
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在兰州重离子加速器国家实验室电子回旋共振离子源高电荷态原子物理实验平台上,用低能(0.75keV/u≤EP/MP≤10.5keV/u,即3.8×105m/s≤vP≤1.42×106m/s)He2+,O2+和Ne2+离子束正入射到自清洁Si表面时二次电子发射产额的实验结果.结果表明电子发射产额γ近似正比于入射离子动能EP/MP.在相同动能下,γ(O)γ(Ne)γ(He),对于原子序数ZP比较大的O2+和Ne2+离子,ZP大者反而γ小,这与较高入射能量时的结果截然不同.通过计算不同入射能量下入射离子的阻止能损S,发现反冲原子对激发二次电子的作用随入射离子能量的降低显著增大,这正是导致在较低能量范围内二次电子发射产额与较高入射能量时存在差异的主要原因. 相似文献