理想第二类超导薄膜的纵场临界电流

本文分析了一个在纵向磁场H_e中,载流的理想第二类超导薄膜(ξ(T)《d≤λ(T))的混合态结构。指出,只有当H_e>(H_c1)(d)时,超导膜的混合态才具有无阻负载电流的能力。本文得到的纵场临界电流曲线具有复杂的结构,并且一般均呈现峰值效应。Heaton及Rose-Innes测得的Nb₅₅Ta₄₅合金的I_c-H_e曲线和d>5λ时的理论曲线相比较,在主要特征上是相同的。 关键词：     

一个新的Tc公式

从Eliashberg方程导出了一个适用于λ小的超导体的T_c公式。 关键词：     

Tc级数解的收敛半径问题

本文从Eliashberg方程出发,证明了一个计算T_c级数解收敛半径1/Λ的公式。它和作者之一及其合作者在前一篇文章中猜测的公式实际上是相符的,从而肯定了他们建议的计算Λ的方法是正确的。 关键词：     

McMillan T_c公式的解析推导(Ⅱ) μ~*≠0情形

本文把文献[1]的理论以及所得到的T_c公式推广到μ≠0情形,得到 T_c=2r/πω_(log)·(ω_(log)/ω_c)~μ/(λ-μ)·exp{-(1 λ)/(λ-μ)}.nγ=C=0.5772是Euler常数。     

McMillan Tc公式的解析推导(Ⅲ)

本文把作者在前面两篇文章导出的T_c公式推广成下面形式:T_c=αω_log(ω_log/ω_c)^{(μ*/(λ-μ*))exp{-(1+λ)/(λ-μ*)},并从线性Eliashberg方程出发,导出了计算α的方程组。α一般是λ和μ*的函数。在弱耦合极限下,由上述方程组解得,α=2γ/π,其中lnγ=C=0.5772是Euler常数。这个结果表明了,前面两篇文章得到的T_c公式在弱耦合极限下是正确的。作者进而在Einstein谱和μ*=0情形,用数值计算方法从定α的方程组算出当λ=0.23,0.25,0.38和0.48时,a的数值。结果表明,至少在0.23≤λ≤0.45区间中,α变化很小,近似等于1/1.30。此时,本文的T_c公式实际上就是Allen及Dynes修改后的经验的McMillan T_c公式。 关键词：}     

超导临界温度理论(Ⅲ)

本文定出超导临界温度T_c级数公式(1)的前几项系数。对于形式为α²F(ω)=(λω)/2[a₁δ(ω-ω₁)+(1-a₁)δ(ω-ω₂)]的双δ型有效声子谱及若干具体材料的谱,将级数公式计算的T_c与Allen-Dynes公式(以下简称A-D公式)及Eliashberg方程的数值解作了比较。计算表明,当级数(1)收敛时,级数公式计算的结果较A-D公式更接近于数值解。此外,本文还给出了一个近似的T_c级数公式,得到了估计该T_c级数收敛半径的方法,并计算了若干材料的收敛半径值。因此,可估计级数公式(1)的适用范围。 关键词：     

关于一级近似T_c级数解的收敛问题

本文通过一个实例说明:μ~* =0时,一级近似T_c级数解的收敛半径既不是由z_(ph)=-integral from n=0 to (ω_(ph)) (dωg(ω)·ω＇/ω_(ph)~2-ω~2),也不是由z_(ph)=integral from n=0 to (ω_(ph)) (dωg(ω)ω~2/ω_(ph)~2 ω~2)决定的。     

非平衡情况Josephson电流的Harris奇点

本文用OS模型研究了当组成Josephson隧道结的一个超导膜处于非平衡态时,Josephson电流的Harris奇点的变化。 关键词：     

过渡金属的超导电理论

1.实验证明,过渡族超导体的很多性质可以在BCS理论中获得解释,只要形式上把BCS理论中的N(0)理解成Fermi能级处s带和d带态密度之和。这些性质有:比热,临界磁场,能隙等。 过渡金属的特点是s带和d带重迭,Fermi能级位于s带和d带之中。过渡金属的很多性质和这个特点有关。Suhl,Matthias和Walker把BCS理论推广到重迭能带的情形,企图给出较为合理的过渡金属超导电理论。在二能带模型的基础上,BCS哈密顿量推广成     

A型超导体的近似临界温度公式(Ⅰ)μ~*=0情形

本文用数值解方法从Eliashberg方程计算出超导临界温度T_c,并考察T_c对有效声子谱的依赖关系。在这个研究中,a~2F(ω)被取为双δ函数谱,并允许其中的谱参数可以在很宽范围内改变。作者发现在λ<∧区域(即在T_c级数解的收敛圆外),T_c除了依赖λ和矩比外,还依赖T_c级数解的收敛半径倒数Λ;它们之间的关系是有规律的。在这些结果的启示下,本文在μ=0情形,用弥合数值解的方法得到一个适用于λ<Λ区域的T_c近似公式。 接着,本文作者对吉光达和吴杭生的一篇文章进行了研究,指出:该文提出的超导体分类建议及其工作的主要结论是对的。但其中对决定A型超导体临界温度主要参量问题进行的分析,只适用于这样一些A型超导体,它们的收敛半径倒数Λ或者比λ_0小,或者虽比λ_0大、但λ又小于λ_0,其中λ_0是个依赖谱形状的参量,它的定义在正文中给出。对另一些A型超导体(λ_0<λ<Λ),决定T_c的主要参量不再是λ,而是δ=1/∧~(0.5)(_(1/2)/ω_(log))~(5.5)λ~(1.55)。