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1.
Total Dose Radiation Tolerance of Phase Change Memory Cell with GeSbTe Alloy 总被引:1,自引:0,他引:1
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Phase change memory (PCM) cell array is fabricated by a standard complementary metal-oxide-semiconductor process and the subsequent special fabrication technique. A chalcogenide Ge2Sb2Te5 film in thickness 50hm deposited by rf magnetron sputtering is used as storage medium for the PCM cell. Large snap-back effect is observed in current-voltage characteristics, indicating the phase transition from an amorphous state (higher resistance state) to the crystalline state (lower resistance state). The resistance of amorphous state is two orders of magnitude larger than that of the crystalline state from the resistance measurement, and the threshold current needed for phase transition of our fabricated PCM cell array is very low (only several μA). An x-ray total dose radiation test is carried out on the PCM cell array and the results show that this kind of PCM cell has excellent total dose radiation tolerance with total dose up to 2 ×10^6 rad(Si), which makes it attractive for space-based applications. 相似文献
2.
We study the electronic energy levels and probability distribution of vertically stacked self-assembled InAs quantum discs system in the presence of a vertically applied electric field. This field is found to increase the splitting between the symmetric and antisymmetric levels for the same angular momentum. The field along the direction from one disc to another affects the electronic energy levels similarly as that in the opposite direction because the two discs are identical. It is obvious from our calculation that the probability of finding an electron in one disc becomes larger when the field points from this disc to the other one. 相似文献
3.
We study the oscillator strengths of the optical transitions of the vertically stacked self-assembled InAs quantum discs.The oscillator strengths change evidently when the two quantum discs are far apart from each other.A vertically applied electric field affects the oscillator strengths severely.while the oscillator strengths change slowly as the radius of one disc increases.We also studied the excitonic energy of the system.including the Coulomb interaction.The excitonic energy increases with the increasing radius of one disc.but decreases as a vertically applied electric field increases. 相似文献
4.
以巯基丙酸(MPA)为稳定剂, 利用微波辐射加热方法制备了水溶性的Cu掺杂的ZnS纳米晶. 通过改变微波条件, 可以在460~572 nm之间实现对ZnS∶Cu纳米晶发射峰位的连续调控. 通过XRD、 UV-Vis、荧光及荧光衰减对ZnS∶Cu纳米晶的结构和发光性质进行了详细探索, 并利用时间分辨荧光光谱对其发光机理进行了初步研究. 相似文献
5.
6.
采用EDTA-甘氨酸联合法(EGCP)合成具有钙钛矿结构的La0.90Sr0.10Al0.97Mg0.03O3-δ(LSAM)粉体。采用TG-DSC,XRD,ICP-OES和TEM对粉体进行表征。在750℃下,无定形结构的粉末直接转化为钙钛矿结构的LSAM粉体。经1000℃煅烧3 h后的粉体,团聚程度低,粒径分布均匀,平均粒径约为77 nm,具有良好的烧结性能。通过SEM对材料的显微结构进行观察并分析其对电性能的影响。采用直流四电极法在空气中测定材料的总电导率,在800℃时,EGCP合成的LSAM电解质的总电导率为1.50×10-2S.cm-1,比固相法的高47.1%。 相似文献
7.
建立了超声辅助提取/离子色谱法测定铬污染场地中铬(Ⅵ)的方法。选用0.3 mol/L的KCl溶液作提取剂,对12组土壤样品中的铬(Ⅵ)进行超声辅助提取20 min。采用Metrosep A Supp 4-250(250 mm×4.0mm)型阴离子分离柱,以4 mmol/L Na2CO3-1 mmol/L NaHCO3混合溶液为淋洗液对样品进行分离分析。铬(Ⅵ)在0.0120 mg/L浓度范围有较好的线性关系,相关系数(r2)为0.999 8;该方法的检出限为0.003 mg/L,加标回收率为96.4%106.8%,相对标准偏差(RSD,n=3)为0.56%。该方法具有简便、快速、准确等优点,适用于铬污染场地的监测与调查。 相似文献
8.
9.
金属组学是综合研究生命体内((特别是细胞内))自由或络合的全部金属原子的分布、含量、化学种态及其功能的一门学科,而大科学装置为金属组学研究提供了强有力的工具。本综述本文首先介绍了金属组学发展简史,然后介绍了基于大科学装置的同步辐射技术、中子技术、质子技术及缪子技术等,最后概述了基于大科学装置的空间金属组学、单细胞/单颗粒金属组学的应用示例。基于大科学装置的中子活化技术(NAA)NAA、X-射线荧光光谱(XRF)以及质子激发X射线谱(PIXE )等技术是开展非原位空间金属组学研究的有力手段,而XRF、PIXE以及缪子X射线荧光谱(MXA)为开展原位空间金属组学提供了有力工具,特别是基于XRF的技术,其空间分辨率可低至10 nm级别,是开展原位单细胞/单颗粒金属组学的利器。 新一代同步辐射光源、质子源及缪子源将为空间金属组学、特别是时空金属组学研究提供更强有力工具。 相似文献
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