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2.
The breakup of suspended, agglomerated submicron particles was studied by exposing the aerosol to weak shock waves of varying strength under conditions 400 ms?1?v?880 ms?1. A newly developed laser light-scattering diagnostic employing a top hat laser profile was used to size the particles passing through a very small scattering volume. By Comparing the optically measured particle size in front of and behind shock waves, the breakup of agglomerated particles could be clearly identified. The experiments indicate that the aerodynamic forces behind an incident shock overcome the particle binding force resulting in disintegration of the submicron agglomerates. The results are presented in form of a modified Weber number. 相似文献
3.
4.
Vibrations of the ground, variations in temperature, mains failure, thermal gas flows, electric and magnetic fields, and resonance vibrations in the control system give rise to errors in the weight indication of electromagnetic microbalances. Measurements with water vapour may be falsified by sorption on dirt, e.g. on fingerprints. Countermeasures are proposed. 相似文献
5.
设计了大气激光通信信道测量系统,利用此系统在不同气象条件下进行了近地视距实验测量并采集了不同天气条件下的实验数据,详细分析讨论了所得实验数据并进行了误差分析.同时实验中获得了大量数据,为进一步完善大气激光信道模型提供了有力的依据. 相似文献
6.
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8.
包钴型γ-Fe2O3磁粉分为包钴γ-Fe2O3(简记为Co-γ-Fe2O3)和包钴包亚铁γ-Fe2O3(简记为CoFe-γ-Fe2O3)两种,它们的矫顽力可比γ-Fe2O3磁粉的提高100至400Oe左右,本工作对这两种磁粉矫顽力增大的原因作了探讨,认为它们矫顽力增大的机制不同:CO-γ-Fe2O3矫顽力增大是由于表面包覆一层Co(OH)2使表面各向异性增大,而CoFe-γ-Fe2O3则是由于表面包覆的是钴铁氧体,γ-Fe2O3与钴铁氧体之间发生耦合作用,使矫顽力增大。 相似文献
9.
提出一种球谐域类正则化宽带超指向性波束形成算法,通过结合超指向性波束形成器与延迟求和波束形成器控制阵列白噪声增益和指向性因数,推导类正则化宽带超指向性波束形器的球谐域表达式。在此基础上设计新的可控指向性因数波束形成器,可在不显著放大低频白噪声的前提下实现设定的波束宽度。采用32元球阵的仿真结果表明,对于语音测试场景,类正则化波束形成器的最高PESQ得分相比于传统的超指向性波束形成器与延迟求和波束形成器分别提高了约0.5和0.4,平均词错率分别减少了约9.5%和8.1%。主观测试实验也表明类正则化波束形成器在方向性噪声和扩散场噪声环境下都可以获得更好的主观听觉感受。利用实验数据对算法性能进行测试,实验结果同样验证了该方法在实际声学环境中的有效性。 相似文献
10.
采用磁控溅射方法先在玻璃衬底上室温下沉积Zn金属薄膜,接着先后在200和400 ℃温度下的硫蒸气和氩气流中进行退火,生长出 ZnS 薄膜。薄膜样品的微观结构、物相结构、表面形貌和光学性质分别采用正电子湮没技术 (PAT)、X射线衍射仪 (XRD)、扫描电子显微镜 (SEM)和紫外-可见分光光度计进行表征。该ZnS薄膜在可见光范围具有约80%的高透光率,随着硫化时间的增加,其带隙由3.55 增加到3.57 eV,S/Zn原子比从0.54上升至0.89,薄膜质量明显得到改善,相对于以前报道的真空封装硫化所制备的ZnS薄膜,硫过量问题得到了较好解决。此外,慢正电子湮没多普勒展宽谱对硫化前后薄膜样品中膜层结构缺陷研究表明,硫化后薄膜的S参数明显增大,生成的ZnS 薄膜结构缺陷浓度高于Zn薄膜。 相似文献