全文获取类型
收费全文 | 104篇 |
免费 | 38篇 |
国内免费 | 30篇 |
专业分类
化学 | 58篇 |
晶体学 | 22篇 |
力学 | 6篇 |
综合类 | 2篇 |
数学 | 9篇 |
物理学 | 75篇 |
出版年
2023年 | 3篇 |
2022年 | 3篇 |
2021年 | 4篇 |
2020年 | 1篇 |
2019年 | 5篇 |
2018年 | 5篇 |
2017年 | 4篇 |
2016年 | 9篇 |
2015年 | 10篇 |
2014年 | 16篇 |
2013年 | 10篇 |
2012年 | 9篇 |
2011年 | 6篇 |
2010年 | 5篇 |
2009年 | 7篇 |
2008年 | 6篇 |
2007年 | 4篇 |
2006年 | 5篇 |
2005年 | 9篇 |
2004年 | 5篇 |
2003年 | 11篇 |
2002年 | 2篇 |
2001年 | 4篇 |
2000年 | 5篇 |
1999年 | 3篇 |
1998年 | 4篇 |
1996年 | 2篇 |
1995年 | 1篇 |
1994年 | 2篇 |
1990年 | 2篇 |
1989年 | 2篇 |
1986年 | 2篇 |
1985年 | 2篇 |
1984年 | 2篇 |
1981年 | 1篇 |
1980年 | 1篇 |
排序方式: 共有172条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
3.
4.
1,3-二甲基尿嘧啶二聚体的飞行时间质谱裂解规律研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用不同进样方式、不同电子轰击能量和不同反应气压力测定了1,3 二甲基尿嘧啶二聚体(DMUD) 的4个立体异构体A、B、C、D的化学电离(CI)和电子轰击电离(EI)飞行时间质谱.不同方式所测得的CI谱结 果一致,4个异构体出现了强度不同的准分子离子峰(m/z=281),由此推断它们结构之间的相对稳定性次序为: B(trans syn)>D(cis syn)>A(trans anti)>C(cis anti).这一结论被低能量(25eV)电子轰击的EI谱所证实, 并且与合成产物的比例相吻合.EI谱用任何方式测谱均不出现分子离子峰(m/z=280),而出现其单体离子(m/z =140)且为基峰。给出了DMUD的飞行时间质谱裂解途径,同时对CI谱的裂解碎片进行了细致的讨论. 相似文献
5.
6.
采用图像诊断方法对高能环形电子束形状及空间尺寸进行了研究,以高能脉冲环形电子束轰击高Z靶材料产生脉冲X射线,X射线经过X射线增感屏转换为可见光,用单次图像采集系统获取可见光的积分图像。为满足诊断所需的空间分辨和系统灵敏度,通过理论计算确立了靶的材料、厚度及X射线增感屏的型号和厚度等参数。根据测试环境,设计了系统的现场安装结构,系统基本满足测试要求。分析从实验中获取的图像,可知环形电子束的内径为36.5 mm,环厚为1 mm,环形不均匀,水平方向电子束强。 相似文献
7.
结核病(tuberculosis,TB)是第二大由单一病原菌感染引起的致死性疾病,致死率仅次于艾滋病.与疾病进展相关的代谢标志物的发现有利于病情的防治,而代谢组学研究则是发现代谢标志物的重要手段之一.目前与TB病人相关的代谢组学研究还不多.该文利用基于核磁共振氢谱(1H NMR)的代谢组学技术,对不同病情程度TB患者的血浆代谢组进行了研究.正交偏最小二乘法判别分析(OPLS-DA)结果显示TB各组与健康对照组均可明显分离.统计分析发现,缬氨酸、丙氨酸、肌酸和3-羟基丁酸等代谢物在TB各组含量普遍高于对照组;乳酸、丙酮酸、N-乙酰糖蛋白、亮氨酸和谷氨酸等代谢物在疾病进展过程中呈逐渐增加的趋势,而三羧酸(tricartexylic acid,TCA)循环的中间产物——柠檬酸则呈逐渐降低的趋势,表明了代谢紊乱随疾病的逐渐变化过程.这些差异代谢物的变化表明TB患者体内能量代谢与糖酵解增强、脂肪酸生酮作用增强、TCA循环受阻、氨基酸代谢紊乱. 相似文献
8.
为了讨论PGAI技术分析的准确性,并验证冷中子和热中子应用于PGAI技术的可行性,通过蒙特卡罗模拟计算软件对PGAI技术理想化模型进行了研究,采用高准直的冷中子及热中子束和高纯锗探测器,对一块5 cm× 5 cm×1 cm均匀铁单质样品进行了模拟计算及图像重建,选取的等效体积大小为1 cm×1 cm×1 cm。结果显示:两种能量中子可以用于PGAI技术实现元素分布测量,但无论使用何种能量中子,由于物料体效应带来的中子自屏效应、中子散射效应以及伽马射线自吸收作用,即便在对均匀单质样品进行测量时,图像重建结果也无法保证各位置元素响应的一致性。因此,在后续工作中,需理清PGAI物理机制,建立相应的修正模型。 相似文献
9.
Zi-Hao Chen 《中国物理 B》2023,32(1):17301-017301
The Ga$_{2}$O$_{3}$ films are deposited on the Si and quartz substrates by magnetron sputtering, and annealing. The effects of preparation parameters (such as argon-oxygen flow ratio, sputtering power, sputtering time and annealing temperature) on the growth and properties ($e.g.$, surface morphology, crystal structure, optical and electrical properties of the films) are studied by x-ray diffractometer (XRD), scanning electron microscope (SEM), and ultraviolet-visible spectrophotometer (UV-Vis). The results show that the thickness, crystallization quality and surface roughness of the $\beta $-Ga$_{2}$O$_{3}$ film are influenced by those parameters. All $\beta $-Ga$_{2}$O$_{3 }$films show good optical properties. Moreover, the value of bandgap increases with the enlarge of the percentage of oxygen increasing, and decreases with the increase of sputtering power and annealing temperature, indicating that the bandgap is related to the quality of the film and affected by the number of oxygen vacancy defects. The $I$-$V$ curves show that the Ohmic behavior between metal and $\beta $-Ga$_{2}$O$_{3}$ films is obtained at 900 ${^\circ}$C. Those results will be helpful for the further research of $\beta $-Ga$_{2}$O$_{3}$ photoelectric semiconductor. 相似文献
10.