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六甲氧基甲基三聚氰胺-多元醇-丙烯酸酯混杂聚合体系的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
六甲氧基甲基三聚氰胺 (HMMM) 多元醇 丙烯酸酯 酸催化剂混杂聚合体系在高温下同时进行缩聚和自由基聚合并表现出协同效应 .体系中的活泼亚甲基在HMMM的催化下被空气氧化成过氧化氢物 ;过氧化氢物在酸催化下分解成自由基进而引发自由基聚合反应 .研究结果表明 ,体系中存在固化加速的协同效应 ;同时体系中还存在热互补效应 ,丙烯酸酯的自由基聚合反应放出的热可以传递给缩聚反应 ,满足缩聚反应吸热的要求 .混杂聚合得到的高分子合金膜具有优良的机械性能和耐溶剂性能 ,这是由于在混杂聚合过程中形成了互穿聚合物网络 (IPN)结构 .使用潜酸催化剂作为酸的来源 ,可以提高体系的储存稳定性 ;交联 引发剂的使用可以拓宽它的使用范围 ;对超枝化聚合物在混杂体系中的应用也进行了初步研究 相似文献
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六甲氧基甲基三聚氰胺(HMMM)-多元醇-丙烯酸酯-酸催化剂的混合体系在较高温度下同时进行缩聚和自由基聚合并表现出协同效应,DSC研究结果表明,丙烯酸酯在HMMM和酸的催化作用下可在较低温度下发生自由基聚合反应,并把反应释放出来的大量的热量有效地传递给缩聚发反应,满足缩聚反应吸热的要求,从而节省固化所需要的能量,为了提高储存稳定性。本文以潜酸催化剂作为酸的来源,对该混杂聚合体系进行了研究,仍有明显的热互补效应。 相似文献
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Molecular Replacement Studies of Cucurmosin from Cucurbita Moschata:Structure Homology with Trichosanthin 总被引:2,自引:0,他引:2
1 INTRODUCTION Many plants contain proteins that are capable of inactivating ribosomes and therefore are called ribosome-inactivating proteins or RIPs[1]. RIPs are RNA N-glycosidases that inactivate ribosomes through a site-specific deadenylation of the large ribosomal RNA[2, 3]. RIPs are also capable of inactivating many nonribosomal nucleic acid substrates and can be considered as polynucleotide: adenosine glycosidases[4~6]. There are two types of RIPs: type I, single chain pr… 相似文献
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考虑立体活性孤对电子附近次级键配位原子的贡献, 对文献报道的三十个氨基多羧酸锑(III)螯合物的晶体结构中配位多面体描述进行了全面的修正. 配位多面体的几何构型指定采用了单位球内截多面体的两面角判据及其相关的ANVPDA程序. 所有配位多面体几何构型的修正均得到了键价计算的有力支持. 相似文献
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考虑立体活性孤对电子附近次级键配位原子的贡献,对文献报道的三十个氨基多羧酸锑(III)螯合物的晶体结构中配位多面体描述进行了全面的修正.配位多面体的几何构型指定采用了单位球内截多面体的两面角判据及其相关的ANVPDA程序.所有配位多面体几何构型的修正均得到了键价计算的有力支持. 相似文献
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Deep submicron n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (NMOSFETs) with shallow trench isolation (STI) are exposed to ionizing dose radiation under different bias conditions.The total ionizing dose radiation induced subthreshold leakage current increase and the hump effect under four different irradiation bias conditions including the worst case (ON bias) for the transistors are discussed.The high electric fields at the corners are partly responsible for the subthreshold hump effect.Charge trapped in the isolation oxide,particularly at the Si/SiO 2 interface along the sidewalls of the trench oxide creates a leakage path,which becomes a dominant contributor to the offstate drain-to-source leakage current in the NMOSFET.Non-uniform charge distribution is introduced into a threedimensional (3D) simulation.Good agreement between experimental and simulation results is demonstrated.We find that the electric field distribution along with the STI sidewall is important for the radiation effect under different bias conditions. 相似文献