孔梯度陶瓷纤维复合膜管的制备及特性

陶瓷过滤管具有孔隙率高、耐腐蚀、耐高温、机械强度高、便于清洗、使用寿命长等优点,是高温烟尘处理用的高效过滤元件.本文研制了一种具有梯度孔结构堇青石陶瓷纤维复合膜过滤元件,该过滤元件是由多孔支撑体、过渡层和分离膜层组成.其中支撑体、过渡层和分离层的气孔率分别为35～40;、50～60;和60～70;.文中主要分析了孔梯度陶瓷纤维复合膜管的材料结构和抗热震性能,同时对复合膜管进行含尘气体过滤的冷态模拟试验.对于烟气中粒径大于或等于0.1μm的颗粒,复合膜管的截留率达到99.8;以上.     

GROWTH CHARACTERISTICS OF DIAMOND FILMS DEPOSITED ON Si AND W SUBSTRATES

Growth characteristics of diamond films synthesized by using a dc arc discharge plasma CVD were studied by means of XRD,SEM and reflection electron diffraction. The results showed that columnar growth of the diamond films was observed, the columns having an average diameter of about 15μm, with sharp and regular base edges. Diamond grains grows on the substrata were initially of uniform polygons. An interfacial transition layer of polycrystalline SiC was observed between the diamond film and Si substrate. Diamond grains grown during the early-stage on W substrate were also uniform, and an interfacial transition layer of polycrystalline WC was observed between the diamond film and the substrate.     

ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的导电过程与等效势垒高度

研究了ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷等效势垒高度φeff随着归一化电压的变化规律,发现等效势垒高度φeff随着归一化电压的增加先逐渐增大,达到最大值后持续下降.由于在外加电压作用下反偏势垒高度高于正偏势垒高度,等效势垒高度φeff主要取决于反偏势垒.因此,这种变化规律说明了ZnO压敏陶瓷晶界的导电过程可能存在三个阶段.在低归一化电压区,晶界区域中的电子从正偏势垒区注入到晶界无序层的速率低于电子从晶界无序层抽出到反偏势垒区的速率,从而导致等效势垒高度随着归一化电压的增加逐渐增大.在中等归一化电压区,电子从正偏势垒区注入到晶界无序层的速率和电子从晶界无序层抽出到反偏势垒区的速率相平衡,等效势垒高度达到最大值.在高归一化电压区,电子从正偏势垒区注入到晶界无序层的速率高于电子从晶界无序层抽出到反偏势垒区的速率,等效势垒高度随着归一化电压的增加逐渐下降,直至晶界击穿.同时分析了等效势垒高度φeff对泄漏电流IL的影响,发现泄漏电流与等效势垒高度差Δφ呈指数关系.     

近红外漫反射光谱法快速测定苦参和白土苓药材中多指标成分的含量

建立近红外光谱(near infrared spectroscopy,NIRS)法快速测定复方苦参注射液原料药材苦参和白土苓中多指标成分含量的方法,探讨其在中成药原料质量保障系统中的应用可行性。以HPLC法测定苦参中氧化苦参碱、氧化槐果碱、苦参碱和槐果碱以及白土苓中大泽米苷的含量为对照值;采用近红外漫反射模式采集样品光谱,比较不同建模波段及光谱预处理方法的建模效果,优选出最佳建模参数;采用偏最小二乘法分别建立白土苓中大泽米苷和苦参中氧化苦参碱与苦参碱总量、槐果碱与氧化槐果碱总量的近红外定量分析模型,并对模型进行评价。结果显示,HPLC测定的88批白土苓中大泽米苷和75批苦参中氧化苦参碱与苦参碱总量、槐果碱与氧化槐果碱总量分别0.36~12.88,8.87~66.31和2.30~15.11mg·g-1。所建立的三组指标成分的NIRS定量校正模型性能良好,各模型校正集内部交叉验证R2为0.902 5,0.949 1,0.913 7,RMSECV为0.961,2.45,0.724mg·g-1;验证集外部验证R2 0.981 7,0.982 6,0.960 9,RMSEP为0.693,2.27,0.658mg·g-1。建立了快速定量苦参和白土苓中多指标成分的含量的近红外分析方法,所建立的定量分析模型能够满足复方苦参注射液大生产对大批量原料样品化学信息快速获取的需求。     

COMPLETE EQUIVALENT CIRCUIT FOR RADIAL MODE OF PIEZOELECTRIC DISKS

Radial mode resonator of a piezoelectric disk is extensively applied to piezoelectric measure-ment;it has been a major subject of piezoelectric measurement in international standardization.Mason investigated this mode at first,and he derived the electrical admittance formula and approximateequivalent circuit that is only correct to the vicinity of the fundamental frequency.In this article,based on the admittance formula derived by Mason and using the Mittag-Leffler's theorem the completeequivalent circuit has been derived that is applicable to any frequency.It is proved that the completeequivalent circuit corresponds to the strict analytic solution derived from wave equation.     

TWO POSITIVE SOLUTIONS FOR A CLASS OF SINGULAR BOUNDARY VALUE PROBLEMS

An existence theorem of two positive solutions of the singular BVP1/(p(t))(p(t)y′(t))′+λα(t)f(y(t))=0,t∈(0,1),αy(0)-βp(t)y′(t)=0=γy(1)+δp(t)y′(t)was established by using topological degree theory.     

零温物态方程输入参数B0K、B′0K和ρ0K的确定

在对Grtineisen系数高温高压下演化特性不作任何假设的前提下，建立了一种不依赖于等温物态方程具体形式，通过Hugoniot实验数据直接确定0K零压等温体积模量B0K及其对压力的一阶导数B′0k。和初始密度ρ0K等0K物态方程输入参数的方法。通过与实验和理论数据的分析和比较，表明用这一方法确定的．B0K和B′0k不仅合理，而且具有很高的精度，特别是B′0k的精度，要优于目前传统超声实验的测量精度。此外，这一方法所确定的ρ0K不仅在Grtineisen物态方程的框架内与相应的室温零压特性参数相适配，而且与低温热膨胀实验数据所确定的近0K初始密度ρ0E非常吻合。     

我国高压物理的进展—三十年来的回顾

我国高压物理学科是在五十年代末着手筹建的．三十年来我国高压物理在赶超世界先进水平方面取得了不少重要进展．本文简介了三十年来我国高压物理在静压部分，包括高压购理实验技术、高压下物质的相变和性质、高压下人造金刚石等超硬材料三方面的研究进展．     

氮掺杂及水分子吸附碳纳米管电子场发射第一性原理研究

对闭口碳纳米管(CNT)顶端分层掺氮及吸附不同数目水分子体系,运用第一性原理研究了有电场存在时的电子场发射性能.结果表明：掺氮并吸附水分子的CNT结构稳定;外电场愈强、水分子数愈多,体系态密度(DOS)向低能端移动幅度愈大且最高分子占据轨道(HOMO)/最低分子空轨道(LUMO)能隙愈小.吸附能,DOS/LDOS,HOMO/LUMO及其能隙分析一致表明,第三层氮掺杂CNT吸附不同数目水分子体系的场发射性能最佳. 关键词： 氮掺杂 水吸附 密度泛函理论 电子场发射