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为探索性能更优的Mg基热电材料,本文基于第一性原理,结合分子动力学从能带结构和态密度、马利肯键布居以及载流子相对质量等微观层面研究Mg2X(X=Sn,Pb)和Mg3X2(X=Sb,Bi)在基态、施加温度场和压力下的电子结构和热电性质.研究表明:Mg2Sn,Mg2Pb,Mg3Sb2和Mg3Bi2分别在温度为800 K,750 K,700 K和800 K左右时能隙最小,态密度峰值和载流子相对质量达到峰值,键布居数最小,热电性能最优;Mg2Sn和Mg2Pb在低压1~4 GPa时热电性能更理想,Mg3Sb2和Mg3Bi2在高压4~8 GPa时热电性能更理想,微观特征均表现为导带底下降接近价带,同时键布居数减小,载流子相对质量增加. 相似文献
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