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合成了一个系列的稀土含氮大环配合物[Ln(tmtaa)(Htmtaa)·CH2Cl2
(Ln =Sm, Tb, Er and Yb)],并通过红外光谱、质谱、分子吸收光谱和DSC对配合物进行了表征。配体tmtaa 和 Htmtaa中的八个氮原子与稀土离子配位,形成了一个夹心结构的配合物。X-射线光电子能谱研究结果表明tmtaa或Htmtaa中的四个氮原子具有相同的化学环境。因而,Htmtaa中的酸式氢不是直接与Htmtaa中任何一个氮原子结合,而是与四个氮原子共享。配合物的磁性测定结果与理论值完全一致。 相似文献
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A series of Ln(tmtaa)(Htmtaa)·CH_2Cl_2(Ln=Sm,Tb,Er and Yb)complexes were prepared and characterized byinfrared spectra,mass spectra and molecular electronic spectroscopy as well as DSC measurement.A sandwichstructure containing all the eight nitrogen atoms of tmtaa and Htmtaa was proposed for these complexes.X-rayphotoelectron spectra(XPS)of these complexes revealed that four nitrogen atoms of both tmtaa and Htmtaa werechemically equivalent to each other,respectively.The acidic hydrogen of Htmtaa did not bind specifically to any ni-trogen atom of Htmtaa,but was shared by all the four nitrogen atoms.The magnetic properties of these complexeswere found to be in good agreement with their theoretical values. 相似文献
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用TG-DTA,高温X-射线衍射研究了稀土间硝基苯甲酸配合物LnL_3·nH_2O(n=2,Ln=La→Lu+Y;n=0,Ln=Sc,HL=间硝基苯甲酸)的热分解行为,DSC测定其脱水相变过程中的热力学函数,同时用透射电镜观察了热分解产物的超微性。 相似文献
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随着半导体集成度的不断提高,铜互连线的电阻率迅速提高。当互连线宽度接近7 nm时,铜互连线的电阻率与钴接近。IBM和美国半导体公司(ASE)已经使用金属钴取代铜作为下一代互连线材料。然而,钴种子层的形成和超级电镀钴填充7 nm微孔的技术工艺仍是一个很大的挑战。化学镀是在绝缘体表面形成金属种子层的一种非常简单的方法, 通过超级化学镀填充方式, 直径为几纳米的盲孔可以无空洞和无缝隙的方式完全填充。本文综述了化学镀钴的研究进展,并分析了还原剂种类对化学镀钴沉积速率和镀膜质量的影响。同时, 在长期从事超级化学填充研究的基础上, 作者提出了通过超级化学镀钴技术填充7 nm以及一下微盲孔的钴互连线工艺。 相似文献
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铒-谷氨酸配合物的晶体结构及表征 总被引:1,自引:0,他引:1
合成了铒与L-谷氨酸形成的配合物[Er_2(L-Glu)_2·(H_2O)_8](ClO_4)_4.3H_2O,由元素分析、红外光谱、热分析对配合物进行了麦征。得到了配合物的单晶,该晶体属于单斜晶系,空间群P2_1,晶胞参数a=19987(3)nm,b=16505(3)nm,c=1.1040(2)nm,β=104(1),V=3.538nm ̄3,Z=2,R=0.043。晶体结构中每一个独立区含有二个晶体学上独立的配合物分子,每个配合物分子含有两个中心离子,它们之间通过二个桥式羧基和二个螯合三齿羧基相连接,中心离子的配位数为9。 相似文献
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