H^＋注入锗酸铋晶体表面层的性质

Ｈ＾＋注入锗酸铋（Ｂｉ４Ｇｅ３Ｏ１２或ＢＧＯ）晶体引起某些效应，如辐射损伤，光学吸收和近表层区域的晶体分解。经Ｈ＾＋注入后，ＢＧＯ晶体的颜色变成棕色，但实验中证实不了该变化是由色心的产生所引起。此外，实验中也示观察到Ｈ＾＋注入ＢＧＯ晶体中有离子束诱发的光学活性变化。可见在注入过程中，未发生从Ｂｉ４Ｇｅ３Ｏ１２转变到Ｂｉ１２ＧｅＯ２０的结构相变，由此预见，注入过程中可能发生离子束引起的晶体分解。Ｈ＾     

Mo(d,x)95mTc,Mo(d,x)96gTc和Mo(d,x)97mTc反应的激发函数

用活化法和迭靶技术,测量了入射氘核能量从3.2到13.3MeV范围内,Mo(d,x)^95mTc,Mo(d,x)^96gTc和Mo(d,x)^97mTc反应的激发函数,并与复合核统计模型理论计算作了比较.     

基于薄片增益介质的皮秒激光再生放大器研究

近年来,超快激光器已成为激光精密制造的主力光源.为进一步提高激光加工效率和加工能力,需获得更高平均功率、更大单脉冲能量的超短脉冲激光器.本文基于自研的单薄片模块和串接的双薄片模块分别搭建了一套皮秒薄片激光再生放大器,其中基于单薄片模块的再生放大器采用脉宽小于10 ps的种子源,最终获得平均功率44.2 W、脉冲宽度9....     

关于Yb~(3 )—Er~(3 )激活的上转换磷光体的效率

本文通过Er~(3 )离子激发过程的效率和最终发射过程的效率测定了Yb~(3 )—Er~(3 )激活的上转换磷光体的效率。激发过程依赖于红外激发强度。我们用不同的基质晶格,激发到选定的Er~(3 )能级,测量了发射过程的效率,而且作为Yb~(3 )和Er~(3 )浓度的函数。现在知道的最好的上转换磷光体之一,α-NaYF_4—0.20Yb—0.03Er的绿色发光效率约为6％。     

光电振荡器中锁相环和注入锁定技术的比较和优化

分析比较了基于锁相环技术和基于注入锁定技术的两种光电振荡器的特性,推导了两种光电振荡器的噪声传递函数,并进行了实验验证,得出了这两种技术应用于光电振荡器的相似性和各自的优缺点.由于光纤对温度的高敏感性,采用这两种技术的光电振荡器都存在着易失锁的问题.为解决这一问题,分别分析了两种光电振荡器输出信号与参考信号间的相位关系,基于此关系设计了锁定状态监测和反馈系统,并实验验证了系统的有效性.     

数理教育工作者应该协同工作

在教了几乎20年数学之后，我最近决定学习并执教物理．     

Cu对Ni50Mn36In14相变和磁性的影响

文章研究了Cu替代部分Ni对铁磁性形状记忆合金Ni₅₀Mn₃₆In₁₄相变和磁性的影响规律. 研究表明,在Ni_50-xCu_xMn₃₆In₁₄中,随着Cu含量的增加,相变温度逐渐降低. Cu含量低于5%时,奥氏体的磁性强于马氏体的磁性, 母相和马氏体相的饱和磁化强度的差值ΔM随着Cu含量的增加而增大. 当Cu含量x=4.5时, ΔM迅速增加到80 emu/g, 并在该材料中观察到了磁场驱动的马氏体到奥氏体的转变,显示了该材料作为磁驱动磁电阻材料的潜在应用前景.当Cu含量高于5%时,奥氏体保持铁磁状态, 马氏体相由反铁磁状态变为铁磁状态,马氏体的磁性强于奥氏体的磁性, ΔM大大削弱,磁场驱动性质消失.     

两台80MVA发电机组的超同步调速装置研制

HL-2A装置环向场线圈是由两台80MVA飞轮脉冲发电机组通过整流设备共同为其供电的。环向场系统设计参数为最大环向磁场2．8T，最大线圈电流45kA，平顶时间3～5s。这就要求每台80M、A脉冲发电机一次脉冲放电释能至少达到500MJ。     

100 kHz腔倒空薄片激光器理论与实验研究

对100 kHz运转的腔倒空薄片激光器的输出特性进行了理论和实验研究。首先建立起腔倒空薄片激光器的速率方程理论模型,模型中考虑了单位时间谐振腔中新增的自发辐射光子数,对其占总自发辐射光子数的比例进行了分析,并结合一些参数进行了仿真。进一步搭建了重复频率为100 kHz的腔倒空薄片激光器实验装置,获得了平均功率为253 W的纳秒激光脉冲输出,光光效率约为35.2%,脉冲宽度为10.4 ns,单脉冲能量为2.53 mJ,脉冲的峰值功率超过了200 kW,x和y方向的光束质量M²分别为9.77和9.27。针对腔倒空调Q的动力学稳定性问题,研究了普克尔盒开关时间对输出平均功率和输出脉冲稳定性的影响,实验中观察到了倍周期分岔和确定性混沌现象,从理论上对这个现象进行了仿真分析,仿真结果可与实验结果相符。